Obtenção de tetracloreto de silicio com grau eletronico a partir de materias primas nacionais

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Baranauskas, Vitor, 1952-2014
Data de Publicação: 1979
Tipo de documento: Dissertação
Idioma: por
Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
Texto Completo: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1581512
Resumo: Orientadores: Yukio Ishikawa, Carlos Ignacio Mammana
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spelling Obtenção de tetracloreto de silicio com grau eletronico a partir de materias primas nacionaisCircuitos eletrônicosSilícioEngenharia metalurgicaOrientadores: Yukio Ishikawa, Carlos Ignacio MammanaDissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia de CampinasResumo: Os circuitos integrados são geralmente construidos em camadas de silício crescidas pela redução do tetracloreto de silício (SiCl4) com hidrogênio sobre substratos de silício. (formula). O tetracloreto de silício para esta aplicação deve ter pureza elevada devido a influência desta nas propriedades eletricas do sil ício produzido. Neste trabalho descrevemos o método de obtenção deste material a partir da cloração direta de silicio metalurgico (~98% Si) e posterior purificação. (formula) Tanto o cloro quanto o silício de grau metalurgico empregados são materias primas nacionais de custo relativamente baixo. O refino do tetracloreto de silício foi feito por adsorção e destilações sucessivas. A identificação do composto foi realizada por espectroscopia de massa e de infravermelho.As camadas de silício produzidas a partir deste tetracloreto apresentaram condutividade tipo P e a medida de resistividade por quatro pontas indicou uma concentração líquida de impurezas eletricamente ativas da ordem de 10 ppb. Mediante a construção de diodos com estas lâminas e medida da característica capacitância versus tensão reversa (C-V),o resultado da,concentração de impurezas foi confirmado. Para fins de comparação os mesmos processos e caracterizações foram realizados com tetracloreto de silicio importado não se notando diferenças significativas. O tetracloreto de silício produzido, com dopagem da ordem de 1014 atomos de purezas/cm3 pode ser convenientemente empregado par a construção de vários tipos de circuitos integrados e outros dispositivos particulares como fibras opticas, celulas solares, etc.Abstract: Not informed.MestradoMestre em Engenharia Elétrica[s.n.]Ishakawa, YukioMammana, Carlos Ignacio Zamitti, 1941-Ishikawa, YukioUniversidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Faculdade de Engenharia de CampinasPrograma de Pós-Graduação em Engenharia ElétricaUNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINASBaranauskas, Vitor, 1952-20141979info:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisapplication/pdf[82] f. : il.https://hdl.handle.net/20.500.12733/1581512BARANAUSKAS, Vitor. Obtenção de tetracloreto de silicio com grau eletronico a partir de materias primas nacionais. 1979. [82] f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia de Campinas, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1581512. Acesso em: 2 set. 2024.https://repositorio.unicamp.br/acervo/detalhe/76699porreponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instname:Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instacron:UNICAMPinfo:eu-repo/semantics/openAccess2017-02-18T02:15:15Zoai::76699Biblioteca Digital de Teses e DissertaçõesPUBhttp://repositorio.unicamp.br/oai/tese/oai.aspsbubd@unicamp.bropendoar:2017-02-18T02:15:15Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)false
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