Microscopia fototérmica de reflexão aplicada à caracterização de dispositivos microeletrônicos

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Batista, Jerias Alves
Data de Publicação: 1996
Tipo de documento: Dissertação
Idioma: por
Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
Texto Completo: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1584046
Resumo: Orientador: Antonio Manoel Mansanares
id UNICAMP-30_99127a1f47f71befce7e0d82cc095748
oai_identifier_str oai::111551
network_acronym_str UNICAMP-30
network_name_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
repository_id_str
spelling Microscopia fototérmica de reflexão aplicada à caracterização de dispositivos microeletrônicosMicroscópio e microscopia - TécnicaDifusividade térmicaOrientador: Antonio Manoel MansanaresDissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb WataghinResumo: Um importante passo para o desenvolvimento de estruturas microeletrônicas é a avaliação não destrutiva de dispositivos em operação. O conhecimento das perdas térmicas nessas estruturas é de grande importância, uma vez que se elas forem excessivas localmente podem indicar a presença de um defeito ou mesmo servir como fonte de propagação de defeitos. Os mapas térmicos são bons indicadores de defeitos em dispositivos microeletrônicos, visto que o perfil de temperatura é sensível às distorções provocadas por estes. Defeitos tais como aqueles provocados por descargas eletrostáticas, fugas de correntes e por eletromigração alteram sensivelmente os perfis de temperatura e de campo elétrico. Neste trabalho a Microscopia Fototérmica de Reflexão é aplicada à caracterização de estruturas resistivas de polissilício e transistores de efeito de campo MOS -MOSFET. As amostras foram gentilmente cedidas pelo Centro Tecnológico para Informática -CTI, Campinas-SP. As trilhas resistivas fazem parte de um chip (KEL VRES) contendo trilhas de várias dimensões. Especificamente trabalhamos com trilhas de 6 e 3. mm de largura e cerca de O,5. mm de espessura. Os transistores são parte de um chip (OSQUARE) construído no IMEC-Bélgica. O transistor a ser analisado é do tipo n-MOS com canal de 30.mm de largura e igual comprimento. Em trilhas resistivas verificamos que o efeito dominante sobre o sinal medido é devido às perdas Joule. Com isso, identificamos efeitos de difusão de calor e mudanças na distribuição de linhas de corrente. Em regime de altas freqüências observamos efeito capacitivo nas trilhas. Em transistores de efeito de campo MOS observamos três componentes para o sinal: uma componente de eletrorefletância, uma devida aos portadores fotogerados e uma de corrente de polarização. Mostramos seis diferentes formas de fazer microscopia nesses dispositivos, pela modulação da voltagem do dreno ou do gateAbstract: Non-destructive evaluation of operating micro-electronic devices is a fundamental step in the development of such structures. The knowledge of the thermal losses distribution in these structures is of particular importance, since they both can indicate the presence of defects and promote, when excessive, a run-away process of degradation. Since the temperature profile can be strongly affected by defects, through thermal parameters mismatch, thermal maps are a useful tool in their detection. One should point out that common degradation processes developed through electrostatic discharges and electromigration usually result in local perturbation of the temperature profile. In this work the Photothermal Reflectance Microscopy is applied to the characterization of polycrystalline silicon tracks and metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors (MOS-FET). The samples were supplied by the Centro Tecnológico para Informática -CTI. The conductive tracks here studied belong to a chip (KELVRES) composed by several tracks with varied dimensions. We worked on a few 6. mm - and 3. mm wide and 0,5. mm - thick polycrystalline silicon tracks. The studied transistors belong to a chip (OSQUARE) produced by IMEC-Belgium. The MOS-FET here analyzed is a n-channel 30. mm - wide and 30. mm - long. The results obtained on conductive tracks indicate that the Joule effect is the dominant one. We observed both heat diffi1sion and distortion on the current distribution around singular regions, such as branches and narrowing points. At high modulation frequencies a capacitive effect was also observed. MOS-FET investigation revealed three different contributions to the signal: an electroreflectance component due to the surface potencial bending; a photo-generated carriers component, induced by the probe beam itself; and a bias current component, mainly due to Joule effect. By using different arrangements we show six distinct ways to perform thermal -and electroreflectance microscopy in such kind of device, each one presenting a specific contrastMestradoFísicaMestre em Física[s.n.]Mansanares, Antonio Manoel, 1964-Miranda, Luiz Carlos MouraCarvalho, Mauro Monteiro Garcia deUniversidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Instituto de Física Gleb WataghinPrograma de Pós-Graduação em FísicaUNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINASBatista, Jerias Alves19961996-07-29T00:00:00Zinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisapplication/pdf95 f. : il.https://hdl.handle.net/20.500.12733/1584046BATISTA, Jerias Alves. Microscopia fototérmica de reflexão aplicada à caracterização de dispositivos microeletrônicos. 1996. 95 f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1584046. Acesso em: 2 set. 2024.https://repositorio.unicamp.br/acervo/detalhe/111551porreponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instname:Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instacron:UNICAMPinfo:eu-repo/semantics/openAccess2019-06-19T10:44:37Zoai::111551Biblioteca Digital de Teses e DissertaçõesPUBhttp://repositorio.unicamp.br/oai/tese/oai.aspsbubd@unicamp.bropendoar:2019-06-19T10:44:37Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)false
dc.title.none.fl_str_mv Microscopia fototérmica de reflexão aplicada à caracterização de dispositivos microeletrônicos
title Microscopia fototérmica de reflexão aplicada à caracterização de dispositivos microeletrônicos
spellingShingle Microscopia fototérmica de reflexão aplicada à caracterização de dispositivos microeletrônicos
Batista, Jerias Alves
Microscópio e microscopia - Técnica
Difusividade térmica
title_short Microscopia fototérmica de reflexão aplicada à caracterização de dispositivos microeletrônicos
title_full Microscopia fototérmica de reflexão aplicada à caracterização de dispositivos microeletrônicos
title_fullStr Microscopia fototérmica de reflexão aplicada à caracterização de dispositivos microeletrônicos
title_full_unstemmed Microscopia fototérmica de reflexão aplicada à caracterização de dispositivos microeletrônicos
title_sort Microscopia fototérmica de reflexão aplicada à caracterização de dispositivos microeletrônicos
author Batista, Jerias Alves
author_facet Batista, Jerias Alves
author_role author
dc.contributor.none.fl_str_mv Mansanares, Antonio Manoel, 1964-
Miranda, Luiz Carlos Moura
Carvalho, Mauro Monteiro Garcia de
Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Instituto de Física Gleb Wataghin
Programa de Pós-Graduação em Física
UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS
dc.contributor.author.fl_str_mv Batista, Jerias Alves
dc.subject.por.fl_str_mv Microscópio e microscopia - Técnica
Difusividade térmica
topic Microscópio e microscopia - Técnica
Difusividade térmica
description Orientador: Antonio Manoel Mansanares
publishDate 1996
dc.date.none.fl_str_mv 1996
1996-07-29T00:00:00Z
dc.type.status.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/masterThesis
format masterThesis
status_str publishedVersion
dc.identifier.uri.fl_str_mv https://hdl.handle.net/20.500.12733/1584046
BATISTA, Jerias Alves. Microscopia fototérmica de reflexão aplicada à caracterização de dispositivos microeletrônicos. 1996. 95 f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1584046. Acesso em: 2 set. 2024.
url https://hdl.handle.net/20.500.12733/1584046
identifier_str_mv BATISTA, Jerias Alves. Microscopia fototérmica de reflexão aplicada à caracterização de dispositivos microeletrônicos. 1996. 95 f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1584046. Acesso em: 2 set. 2024.
dc.language.iso.fl_str_mv por
language por
dc.relation.none.fl_str_mv https://repositorio.unicamp.br/acervo/detalhe/111551
dc.rights.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
eu_rights_str_mv openAccess
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
95 f. : il.
dc.publisher.none.fl_str_mv [s.n.]
publisher.none.fl_str_mv [s.n.]
dc.source.none.fl_str_mv reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
instname:Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
instacron:UNICAMP
instname_str Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
instacron_str UNICAMP
institution UNICAMP
reponame_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
collection Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
repository.name.fl_str_mv Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
repository.mail.fl_str_mv sbubd@unicamp.br
_version_ 1809188791293837312

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