Projeto e construção de um transistor com estrutura MOS usando a tecnica planar

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Moraes, Wilmar Bueno de, 1939-
Data de Publicação: 1975
Tipo de documento: Dissertação
Idioma: por
Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
Texto Completo: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1578591
Resumo: Orientador : Carlos Ignacio Zamitti Mammana
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spelling Projeto e construção de um transistor com estrutura MOS usando a tecnica planarTransistoresSemicondutoresEletrônicaOrientador : Carlos Ignacio Zamitti MammanaDissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia de CampinasResumo: Neste trabalho apresentamos o projeto, a construção e a caracterização de um transistor de efeito de campo com estrutura MOS {metal-óxido-semicondutor}. Inicialmente é apresentada uma descrição dos diversos tipos de estrutura e dos processos viáveis, no momento, para a fabricação de TEC MOS. Adotando um modelo elétrico derivado de um modelo físico dos TEC MOS foram estabelecidos critérios para o dimensionam mento da estrutura de um transistor: a determinação de suas dimensões e características elétricas dos materiais envolvidos. Este modelo, por outro lado, nos permitiu relacionar à estrutura, os seguintes parâmetros elétricos mensuráveis: características elétricas intereletródicas, tensões de ruptura, tensão de transição, densidade de cargas na interface silicio-óxido, mobilidade das lacunas no canal, velocidade térmica das lacunas no canal, e resistências terminais da fonte e do dreno. Os transistores foram fabricados por meio da técnica planar em substratos de siliciocom orientações <111> e <100>, e resistividade com ordem de grandeza de 10 ohm cm; o óxido da porta foi crescido com oxigênio seco empregando-se passivação com fósforo para a diminuição de correntes de fuga. A porta foi protegida por meio de um diodo em paralelo com a mesma. Várias séries de transistores foram medidas obtendo-se como resultado que o processo de fabricação empregado foi satisfatório tanto quanto à qualidade como quanto à reprodutibilidade e que o modelo adotado é suficientemente preciso para ser usado no projeto e avaliação dos transistores de efeito de campo MOS com a estrutura utilizadaAbstract: Not informedMestradoMestre em Engenharia Elétrica[s.n.]Mammana, Carlos Ignacio Zamitti, 1941-Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Faculdade de Engenharia de CampinasUniversidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Faculdade de Engenharia Elétrica e de ComputaçãoPrograma de Pós-Graduação não informadoUNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINASMoraes, Wilmar Bueno de, 1939-1975info:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisapplication/pdf101 f. : il.https://hdl.handle.net/20.500.12733/1578591MORAES, Wilmar Bueno de. Projeto e construção de um transistor com estrutura MOS usando a tecnica planar. 1975. 101 f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia de Campinas, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1578591. Acesso em: 2 set. 2024.https://repositorio.unicamp.br/acervo/detalhe/51511porreponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instname:Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instacron:UNICAMPinfo:eu-repo/semantics/openAccess2014-04-18T00:01:10Zoai::51511Biblioteca Digital de Teses e DissertaçõesPUBhttp://repositorio.unicamp.br/oai/tese/oai.aspsbubd@unicamp.bropendoar:2014-04-18T00:01:10Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)false
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