Aplicação da técnica de recozimento com solução de Ga-Sn-As ao processamento de F.E.Ts em GaAs dopado por implantação iônica

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Oliveira, Rogerio C. de
Data de Publicação: 1989
Tipo de documento: Dissertação
Idioma: por
Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
Texto Completo: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1575527
Resumo: Orientador: Francisco C. Prince
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