Origem e estabilidade de nanoestruturas de InAs sobre ligas de InP e InGaAs

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Nieto González, Luis, 1972-
Data de Publicação: 2007
Tipo de documento: Tese
Idioma: por
Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
Texto Completo: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1615139
Resumo: Orientador: Mônica Alonso Cotta
id UNICAMP-30_ac87594a9634587675fd1714eb86dab5
oai_identifier_str oai::791484
network_acronym_str UNICAMP-30
network_name_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
repository_id_str
spelling Origem e estabilidade de nanoestruturas de InAs sobre ligas de InP e InGaAsOrigin and stability of InAs nanostructures on InP and InGaAs alloysMicroscopia de força atômicaNanofiosPontos quânticosNanoestruturaMicroscopia eletrônica de transmissão de alta resoluçãoProcesso de crescimentoNanosensoresAtomic force microscopyNanowiresQuantum dotsNanostructuresHigh resolution transmission electron microscopyGrowth processNanosensorsOrientador: Mônica Alonso CottaTese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Física Gleb WataghinResumo: Neste trabalho estudamos os mecanismos de crescimento durante a epitaxia por feixe químico de nanoestruturas III-V baseadas no sistema InAs/InP. Particularmente, foram estudados nanofios e ilhas de InAs sobre uma camada buffer InP(001) e nanofios de InAs sobre uma matriz de InGaAs/InP (com mesmo parâmetro de rede). Apresentaremos, nesta tese, as diferenças e similaridades destes sistemas quanto a condições de crescimento, distribuição de tamanho, forma e os efeitos de volume da camada de InGaAs sobre as nanoestruturas de InAs quando comparadas ao sistema InAs/InP. Nossa escolha do InGaAs/InP como camada buffer para a nucleação dos fios de InAs, foi feita porque facilitaria a utilização deste sistema em diversas aplicações, proporcionando maior flexibilidade no desenho dos dispositivos. Por outro lado, este material abre a possibilidade de controlar as características das nanoestruturas através das propriedades de bulk e superficiais da liga ternária InGaAs. Além disso, ligas ternárias podem exibir efeitos de volume que afetam suas propriedades superficiais. Estes fenômenos podem afetar a nucleação dos fios quânticos e por isso foram objeto de nosso estudo. Para isso utilizamos e correlacionamos medidas in situ de difração de elétrons de alta energia (RHEED), microscopia de força atômica (AFM) e eletrônica de transmissão (TEM), com os resultados obtidos por difração de raios X com incidência rasante (GIXD). Verificamos, deste modo, tanto a influência das condições de crescimento, como o comportamento da relaxação da energia elástica nas nanoestruturas. Com todos estes resultados mostramos como acontece a evolução da deformação nos nanofios e pontos quânticos de InAs/InP e como acontecem as transições de forma entre estes dois tipos de nanoestruturas, em função das condições de crescimento e tipo de superfície do substrato utilizado. Mostramos, também que a introdução de um composto ternário (InGaAs) entre o InAs e o InP não afeta significativamente a forma e tamanho das nanoestruturas quando comparadas ao caso InAs/InP. Em particular, a interdifusão gerada por variações locais da composição na camada buffer em nanofios de InAs pode ser minimizada através de mudanças nas condições de crescimento do InGaAsAbstract: In this work we study the growth mechanisms of III-V nanostructures by chemical beam epitaxy (CBE) based on the InAs/InP materials system. Particularly, nanowires and nanodots of InAs on InP (001) and InAs nanowires on InGaAs/InP (lattice matched) buffer layers were studied. The differences and similarities of these systems are presented in this text, as a function of growth conditions, size distribution, as well as the bulk effects of the InGaAs layer on InAs nanostructures when compared to the InAs/InP system. Our choice of InGaAs/InP buffer layer for InAs nanowire nucleation was due to the possible use of this system in many applications, providing greater flexibility in device design. Furthermore, this material opens up the possibility of controlling nanostructures characteristics through bulk and surface properties of the InGaAs ternary alloy. In other hand, ternary alloys may present volume effects that affect their surface properties. These phenomena can affect quantum wires nucleation and thus became one of the subjects of our study. With these goals in mind, we have correlated in situ high-energy electrons diffraction (RHEED) measurements, atomic force microscopy (AFM) and transmission electron microscopy (TEM) images with the results obtained by grazing incidence X-ray diffraction (GIXD). We report here the influence of the growth conditions on nanostructure shape as well as the behavior of elastic energy relaxation within the nanostructures. Our results show how the evolution of deformation within InAs/InP nanowires and quantum dots occur and how the shape transition between these two types of nanostructures depend on the growth conditions and the substrate surface type used. We also show that the introduction of a ternary compound (InGaAs) between InAs and InP does not significantly affect the shape and size of nanostructures as compared to the InAs / InP case. In particular, the interdifusion generated in InAs nanowires by local variations in the buffer layer composition can be minimized through changes in InGaAs growth conditionsDoutoradoEstrutura de Líquidos e Sólidos; CristalografiaDoutor em Ciências[s.n.]Cotta, Mônica Alonso, 1963-Marega Junior, EuclydesPaniago, Rogério MagalhãesCardoso, Lisandro PavieSchulz, Peter Alexander BleinrothUniversidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Instituto de Física Gleb WataghinPrograma de Pós-Graduação em FísicaUNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINASNieto González, Luis, 1972-2007info:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/doctoralThesisapplication/pdf78 f. : il.https://hdl.handle.net/20.500.12733/1615139NIETO GONZÁLEZ, Luis. Origem e estabilidade de nanoestruturas de InAs sobre ligas de InP e InGaAs. 2007. 78 f. Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Física Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1615139. Acesso em: 3 set. 2024.https://repositorio.unicamp.br/acervo/detalhe/791484porreponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instname:Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instacron:UNICAMPinfo:eu-repo/semantics/openAccess2019-06-19T10:34:00Zoai::791484Biblioteca Digital de Teses e DissertaçõesPUBhttp://repositorio.unicamp.br/oai/tese/oai.aspsbubd@unicamp.bropendoar:2019-06-19T10:34Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)false
dc.title.none.fl_str_mv Origem e estabilidade de nanoestruturas de InAs sobre ligas de InP e InGaAs
Origin and stability of InAs nanostructures on InP and InGaAs alloys
title Origem e estabilidade de nanoestruturas de InAs sobre ligas de InP e InGaAs
spellingShingle Origem e estabilidade de nanoestruturas de InAs sobre ligas de InP e InGaAs
Nieto González, Luis, 1972-
Microscopia de força atômica
Nanofios
Pontos quânticos
Nanoestrutura
Microscopia eletrônica de transmissão de alta resolução
Processo de crescimento
Nanosensores
Atomic force microscopy
Nanowires
Quantum dots
Nanostructures
High resolution transmission electron microscopy
Growth process
Nanosensors
title_short Origem e estabilidade de nanoestruturas de InAs sobre ligas de InP e InGaAs
title_full Origem e estabilidade de nanoestruturas de InAs sobre ligas de InP e InGaAs
title_fullStr Origem e estabilidade de nanoestruturas de InAs sobre ligas de InP e InGaAs
title_full_unstemmed Origem e estabilidade de nanoestruturas de InAs sobre ligas de InP e InGaAs
title_sort Origem e estabilidade de nanoestruturas de InAs sobre ligas de InP e InGaAs
author Nieto González, Luis, 1972-
author_facet Nieto González, Luis, 1972-
author_role author
dc.contributor.none.fl_str_mv Cotta, Mônica Alonso, 1963-
Marega Junior, Euclydes
Paniago, Rogério Magalhães
Cardoso, Lisandro Pavie
Schulz, Peter Alexander Bleinroth
Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Instituto de Física Gleb Wataghin
Programa de Pós-Graduação em Física
UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS
dc.contributor.author.fl_str_mv Nieto González, Luis, 1972-
dc.subject.por.fl_str_mv Microscopia de força atômica
Nanofios
Pontos quânticos
Nanoestrutura
Microscopia eletrônica de transmissão de alta resolução
Processo de crescimento
Nanosensores
Atomic force microscopy
Nanowires
Quantum dots
Nanostructures
High resolution transmission electron microscopy
Growth process
Nanosensors
topic Microscopia de força atômica
Nanofios
Pontos quânticos
Nanoestrutura
Microscopia eletrônica de transmissão de alta resolução
Processo de crescimento
Nanosensores
Atomic force microscopy
Nanowires
Quantum dots
Nanostructures
High resolution transmission electron microscopy
Growth process
Nanosensors
description Orientador: Mônica Alonso Cotta
publishDate 2007
dc.date.none.fl_str_mv 2007
dc.type.status.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/doctoralThesis
format doctoralThesis
status_str publishedVersion
dc.identifier.uri.fl_str_mv https://hdl.handle.net/20.500.12733/1615139
NIETO GONZÁLEZ, Luis. Origem e estabilidade de nanoestruturas de InAs sobre ligas de InP e InGaAs. 2007. 78 f. Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Física Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1615139. Acesso em: 3 set. 2024.
url https://hdl.handle.net/20.500.12733/1615139
identifier_str_mv NIETO GONZÁLEZ, Luis. Origem e estabilidade de nanoestruturas de InAs sobre ligas de InP e InGaAs. 2007. 78 f. Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Física Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1615139. Acesso em: 3 set. 2024.
dc.language.iso.fl_str_mv por
language por
dc.relation.none.fl_str_mv https://repositorio.unicamp.br/acervo/detalhe/791484
dc.rights.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
eu_rights_str_mv openAccess
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
78 f. : il.
dc.publisher.none.fl_str_mv [s.n.]
publisher.none.fl_str_mv [s.n.]
dc.source.none.fl_str_mv reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
instname:Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
instacron:UNICAMP
instname_str Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
instacron_str UNICAMP
institution UNICAMP
reponame_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
collection Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
repository.name.fl_str_mv Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
repository.mail.fl_str_mv sbubd@unicamp.br
_version_ 1809189051966685184

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