Crescimento e caracterização de ligas semicondutoras III-V obtidas pelo metodo dos organometalicos (MOVPE)

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Sacilotti, Marco Antonio
Data de Publicação: 1991
Tipo de documento: Tese
Idioma: por
Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
Texto Completo: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1575614
Resumo: Orientador: Bernard Waldman
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spelling Crescimento e caracterização de ligas semicondutoras III-V obtidas pelo metodo dos organometalicos (MOVPE)Compostos organometálicosSemicondutoresOrientador: Bernard WaldmanTese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia EletricaResumo: Apresentamos neste trabalho os aspectos mais importantes da técnica MOVPE com ênfases na construção do sistema, no crescimento de camadas epitaxiais e na caracterização destes. Relataremos a utilização de dois sistemas: um que participamos do projeto e construção e operamos à pressão atmosférica e o aprimoramento e utilização de um outro sistema que funciona a baixa pressão. Nos sistemas acima citados obtivemos materiais básicos e estruturas quânticas de: GaAs, GaAlAs, InP, GaInAs, AlGaInAs e GaInAsP, estruturas estas que possuem o mesmo parâmetro de rede que o substrato. Obtivemos também estruturas tensionadas do tipo GaInAs/GaAs, onde o substrato e as camadas possuem parâmetros de rede diferentes. A qualidade destes crescimentos foi avaliada através de várias técnicas de caracterização como fotoluminescência, efeito Hall, ataques químicos, microscopia óptica e eletrônica, AES, TEM, SIMS, etc. Estruturas de dispositivos laser de GaAs/GaAlAs e AlGaAs/InP também serão apresentadas. A parte inicial deste trabalho é dedicada à descrição de vários métodos de crescimento e à comparações entre eles. Em seguida apresentamos o projeto, construção e utilização do sistema MOVPE. Nos capítulos seguintes serão apresentadados o crescimento e caracterização de camadas binárias, ternárias e quaternárias; incluindo no capítulo IV a solução do problema de flutuação de composição, reportada na literatura mas sem que tenha sido encontrada a causa real desta. No Anexo 1 apresentamos a literatura publicada ou apresentada durante o trabalho de lactação desta teseAbstract: Not informed.DoutoradoDoutor em Engenharia Elétrica[s.n.]Waldman, BernardUniversidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Faculdade de Engenharia ElétricaPrograma de Pós-Graduação em Engenharia ElétricaUNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINASSacilotti, Marco Antonio19911991-06-20T00:00:00Zinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/doctoralThesisapplication/pdf157f. : il.(Broch.)https://hdl.handle.net/20.500.12733/1575614SACILOTTI, Marco Antonio. Crescimento e caracterização de ligas semicondutoras III-V obtidas pelo metodo dos organometalicos (MOVPE). 1991. 157f. Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1575614. Acesso em: 2 set. 2024.https://repositorio.unicamp.br/acervo/detalhe/33199Publicação FEEporreponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instname:Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instacron:UNICAMPinfo:eu-repo/semantics/openAccess2022-05-06T17:43:26Zoai::33199Biblioteca Digital de Teses e DissertaçõesPUBhttp://repositorio.unicamp.br/oai/tese/oai.aspsbubd@unicamp.bropendoar:2022-05-06T17:43:26Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)false
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