Efeitos da pressão uniaxial nos lasers de semicondutores de In1-xGaxAsyP1-y e de poço quântico de Ga1-xALxAs

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Rosa, Celso Pereira Tome
Data de Publicação: 1985
Tipo de documento: Dissertação
Idioma: por
Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
Texto Completo: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1578136
Resumo: Orientador: Theresinha de Jesus Serra de Mattos
id UNICAMP-30_d2b8e9d68cff9b39e0791fc2ff3c0e15
oai_identifier_str oai::48484
network_acronym_str UNICAMP-30
network_name_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
repository_id_str
spelling Efeitos da pressão uniaxial nos lasers de semicondutores de In1-xGaxAsyP1-y e de poço quântico de Ga1-xALxAsLasers semicondutoresPressão hidrostáticaOrientador: Theresinha de Jesus Serra de MattosDissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb WataghinResumo: Neste trabalho, estudamos o comportamento dos lasers semicondutores de InGaAsP-DH e GaAlAs-QW, quando submetidos a aplicação de pressão uniaxial. Na primeira parte, fazemos uma correlação entre os dados experimentais, obtidos para a variação da corrente limiar com aumento da pressão uniaxial dos lasers de InGaAsP, e a teoria desenvolvida por Patel e outros para os lasers de GaAs. Previa-se, teoricamente, um aumento da corrente limiar com a pressão, o que foi observado para 80% dos lasers testados; para os 20% restantes observamos uma redução da corrente limiar. Acreditamos que tal redução possa ser explicada supondo-se a presença do mecanismo de recombinação não radiativo (efeito Auger) nestes lasers. Acreditamos também, que anão homogeneidade observada nos resultados é devida a um desajustamento nos parâmetros de rede das camadas. Na segunda parte, fazemos um estudo sobre o guiamento da luz em laser de poço quântico de GaAlAs, analisando-se o guia de ondas nas direções transversal e paralela a camada ativa. Observamos experimentalmente um atraso na emissão estimulada. Este atraso é função da corrente de injeção e pode ser explicado supondo-se a existência de um guia de ondas induzido pelo efeito da temperatura. Uma comparação entre os resultados experimentais e teóricos para o laser de SCH-QW de GaAlAs de espessura da camada ativa de 200Þ apresenta boa concordância. Além do estudo da evolução do ganho com o tempo, observamos experimentalmente que a aplicação de pressão uniaxial causa um aumento no atraso da emissão estimulada. Este aumento no atraso é devido a uma redução do ganho modal. Uma relação empírica que mostra a evolução do ganho modal com a pressão uniaxial é propostaAbstract: Not informedMestradoFísicaMestre em Física[s.n.]Mattos, Theresinha de Jesus Serra de, 1947-2019Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Instituto de Física Gleb WataghinPrograma de Pós-Graduação em FísicaUNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINASRosa, Celso Pereira Tome19851985-08-29T00:00:00Zinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisapplication/pdf158 f.https://hdl.handle.net/20.500.12733/1578136ROSA, Celso Pereira Tome. Efeitos da pressão uniaxial nos lasers de semicondutores de In1-xGaxAsyP1-y e de poço quântico de Ga1-xALxAs. 1985. 158 f Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1578136. Acesso em: 2 set. 2024.https://repositorio.unicamp.br/acervo/detalhe/48484porreponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instname:Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instacron:UNICAMPinfo:eu-repo/semantics/openAccess2019-04-23T10:59:50Zoai::48484Biblioteca Digital de Teses e DissertaçõesPUBhttp://repositorio.unicamp.br/oai/tese/oai.aspsbubd@unicamp.bropendoar:2019-04-23T10:59:50Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)false
dc.title.none.fl_str_mv Efeitos da pressão uniaxial nos lasers de semicondutores de In1-xGaxAsyP1-y e de poço quântico de Ga1-xALxAs
title Efeitos da pressão uniaxial nos lasers de semicondutores de In1-xGaxAsyP1-y e de poço quântico de Ga1-xALxAs
spellingShingle Efeitos da pressão uniaxial nos lasers de semicondutores de In1-xGaxAsyP1-y e de poço quântico de Ga1-xALxAs
Rosa, Celso Pereira Tome
Lasers semicondutores
Pressão hidrostática
title_short Efeitos da pressão uniaxial nos lasers de semicondutores de In1-xGaxAsyP1-y e de poço quântico de Ga1-xALxAs
title_full Efeitos da pressão uniaxial nos lasers de semicondutores de In1-xGaxAsyP1-y e de poço quântico de Ga1-xALxAs
title_fullStr Efeitos da pressão uniaxial nos lasers de semicondutores de In1-xGaxAsyP1-y e de poço quântico de Ga1-xALxAs
title_full_unstemmed Efeitos da pressão uniaxial nos lasers de semicondutores de In1-xGaxAsyP1-y e de poço quântico de Ga1-xALxAs
title_sort Efeitos da pressão uniaxial nos lasers de semicondutores de In1-xGaxAsyP1-y e de poço quântico de Ga1-xALxAs
author Rosa, Celso Pereira Tome
author_facet Rosa, Celso Pereira Tome
author_role author
dc.contributor.none.fl_str_mv Mattos, Theresinha de Jesus Serra de, 1947-2019
Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Instituto de Física Gleb Wataghin
Programa de Pós-Graduação em Física
UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS
dc.contributor.author.fl_str_mv Rosa, Celso Pereira Tome
dc.subject.por.fl_str_mv Lasers semicondutores
Pressão hidrostática
topic Lasers semicondutores
Pressão hidrostática
description Orientador: Theresinha de Jesus Serra de Mattos
publishDate 1985
dc.date.none.fl_str_mv 1985
1985-08-29T00:00:00Z
dc.type.status.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/masterThesis
format masterThesis
status_str publishedVersion
dc.identifier.uri.fl_str_mv https://hdl.handle.net/20.500.12733/1578136
ROSA, Celso Pereira Tome. Efeitos da pressão uniaxial nos lasers de semicondutores de In1-xGaxAsyP1-y e de poço quântico de Ga1-xALxAs. 1985. 158 f Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1578136. Acesso em: 2 set. 2024.
url https://hdl.handle.net/20.500.12733/1578136
identifier_str_mv ROSA, Celso Pereira Tome. Efeitos da pressão uniaxial nos lasers de semicondutores de In1-xGaxAsyP1-y e de poço quântico de Ga1-xALxAs. 1985. 158 f Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1578136. Acesso em: 2 set. 2024.
dc.language.iso.fl_str_mv por
language por
dc.relation.none.fl_str_mv https://repositorio.unicamp.br/acervo/detalhe/48484
dc.rights.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
eu_rights_str_mv openAccess
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
158 f.
dc.publisher.none.fl_str_mv [s.n.]
publisher.none.fl_str_mv [s.n.]
dc.source.none.fl_str_mv reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
instname:Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
instacron:UNICAMP
instname_str Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
instacron_str UNICAMP
institution UNICAMP
reponame_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
collection Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
repository.name.fl_str_mv Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
repository.mail.fl_str_mv sbubd@unicamp.br
_version_ 1809188735019909120

Registros relacionados