Defeitos localizados em semicondutores

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Martins, George Balster, 1962-
Data de Publicação: 1987
Tipo de documento: Dissertação
Idioma: por
Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
Texto Completo: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1577524
Resumo: Orientador: Gaston Eduardo Barberis
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spelling Defeitos localizados em semicondutoresSemicondutoresCircuitos eletrônicosOrientador: Gaston Eduardo BarberisDissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb WataghinResumo: Calculamos a posição no gap para estados associados com vacâncias ideais em C, Si, Ge, Inp, AlAs e ZnSe. Fizemos cálculos parciais, de estados no gap, para metais de transição (grupo do ferro) intersticiais em Silício. As estruturas de banda foram calculadas pelo método 'tight binding¿ semi-empírico (que é extensamente discutido). Alem dos semicondutores citados acima (com exceção do GaAs, Inp, e ZnSe) apresentamos gráficos de estrutura de banda para Sn, SiC, Gap, AlP e AlSb. Além da apresentação física detalhada do problema de defeitos localizados, procuramos encontra-lo também sob uma perspectiva histórica, ressaltando os problemas teóricos e experimentais a ele associados. Acreditamos firmemente que a proposta (por nós colocada) de continuação dos cálculos com metais de transição fornecerá bons resultados, representando uma maneira simples e econômica de interpretação de experiências em andamento no grupoAbstract: We have calculated the position in the gap for ideal vacancy states (C, Si, Ge, GaAs, InP, AlAs e ZnSe), and made partial calculations for localized states in the gap for interstitial (Td) transitions metals (Iron group) in Silicon. The band structures were calculated by the tight binding method and for point defects we used the Green¿s function method. Besides the above cited semiconductors (with the exception of GaAs, Inp and ZnSe) we present band structure graphics for Sn, SiC, GaP, AlP and AlSb. Beyond the detailed physical presentation of the localized states problem we tried to put it into historical backgrounds, emphasizing the theoretical and experimental aspects of it. We firmly believe that our proposal for the continuation of the transition metals calculations will furnish good results, representing a simple end economical way to interpret the experiments of our grouMestradoFísicaMestre em Física[s.n.]Barberis, Gaston Eduardo, 1941-Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Instituto de Física Gleb WataghinPrograma de Pós-Graduação em FísicaUNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINASMartins, George Balster, 1962-19871988-04-29T00:00:00Zinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisapplication/pdf191f.https://hdl.handle.net/20.500.12733/1577524MARTINS, George Balster. Defeitos localizados em semicondutores. 1987. 191f Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1577524. Acesso em: 2 set. 2024.https://repositorio.unicamp.br/acervo/detalhe/47730porreponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instname:Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instacron:UNICAMPinfo:eu-repo/semantics/openAccess2015-01-16T16:30:55Zoai::47730Biblioteca Digital de Teses e DissertaçõesPUBhttp://repositorio.unicamp.br/oai/tese/oai.aspsbubd@unicamp.bropendoar:2015-01-16T16:30:55Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)false
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