Silício amorfo nitrogenado e hidrogenado para aplicações fotovoltáicas
Autor(a) principal: | |
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Data de Publicação: | 1984 |
Tipo de documento: | Dissertação |
Idioma: | por |
Título da fonte: | Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) |
Texto Completo: | https://hdl.handle.net/20.500.12733/1578718 |
Resumo: | Orientador: René Brenzikofer |
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Silício amorfo nitrogenado e hidrogenado para aplicações fotovoltáicasSilícioNitrogênioHidrogenaçãoOrientador: René BrenzikoferDissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb WataghinResumo: Este trabalho, faz um estudo dos compostos de silício-nitrogênio obtidos por descarga luminescente RF em atmosfera de silano e nitrogênio. Nos primeiros capítulos, são mostrados os métodos de crescimento dos filmes de silício-nitrogênio e descrito com grande detalhe o equipamento de descarga luminescente construído para o crescimento destes filmes, assim como o procedimento utilizado na formação dos compostos para obter uma boa reprodutibilidade nas suas características. Os parâmetros estudados no crescimento dos filmes foram a potência RF (15 W, 67 W e 183 W) e o conteúdo de silano na atmosfera de trabalho (74%, 62%, 48% e 29%). Um estudo sobre a posição dos eletrodos em relação ao substrato foi realizado e revelou uma distancia de 6 cm como apropriada para a obtenção de filmes de compostos de silício-nitrogênio com melhor qualidade do filme e determinação dos parâmetros ópticos dos mesmos. A caracterização óptica dos filmes foi feita através do estudo de transmitância do filme (tirado de um espectrofotômetro). A análise dos espectros, com a ajuda de um programa de computação, inclui a aplicação de diferentes modelos físicos (índice de refração, gap óptico, índice de refração do substrato, etc.). É mostrado também o equipamento empregado na caracterização elétrica dos filmes. Medidas de condutividade elétrica em função da temperatura são utilizadas para determinar a energia de ativação (e o nível de Fermi). Resultados sobre a velocidade de crescimento, índice de refração, gap óptico, energia de ativação e a evolução da densidade de estado perto das bandas estão apresentados. Este trabalho mostra que é possível crescer diversos tipos de compostos silício-nitrogênio, com características que vão desde o silício amorfo até o nitreto de silício Si3N4Abstract: Not informedMestradoFísicaMestre em Física[s.n.]Brenzikofer, René, 1945-Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Instituto de Física Gleb WataghinPrograma de Pós-Graduação em FísicaUNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINASVilche Pena, Angel Fidel19841984-10-31T00:00:00Zinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisapplication/pdf54 f. : il.https://hdl.handle.net/20.500.12733/1578718VILCHE PENA, Angel Fidel. Silício amorfo nitrogenado e hidrogenado para aplicações fotovoltáicas. 1984. 54 f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1578718. Acesso em: 2 set. 2024.https://repositorio.unicamp.br/acervo/detalhe/51676porreponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instname:Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instacron:UNICAMPinfo:eu-repo/semantics/openAccess2019-05-03T11:06:06Zoai::51676Biblioteca Digital de Teses e DissertaçõesPUBhttp://repositorio.unicamp.br/oai/tese/oai.aspsbubd@unicamp.bropendoar:2019-05-03T11:06:06Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)false |
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