Fotoluminescência em GaAs dopado com Sn

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Cardoso, Carmen Lucia Novis
Data de Publicação: 1985
Tipo de documento: Dissertação
Idioma: por
Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
Texto Completo: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1576914
Resumo: Orientador: Eliermes Arraes Meneses
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spelling Fotoluminescência em GaAs dopado com SnFotoluminescênciaEletroluminescênciaOrientador: Eliermes Arraes MenesesDissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb WataghinResumo: Medidas de fotoluminescência foram feitas em amostras de GaAs dopado com Sn (GaAs:Sn). Os resultados apresentaram duas regiões de emissão: excitônica é caracterizada pelas linhas A1 (1.5224 eV); A2 (1.5164eV); A3 (1.4966eV) e A4 (1.4600eV). A região profunda pelas bandas B1 (1.3612eV), B2 (1.3274eV) e B3 (1.2974eV). A linha A1 é interpretada como sendo a transição do éxciton livre; linha A2, éxciton ligado à impureza doadora de Sn; linha A3, éxciton ligado a impureza aceitadora de Sn e a linha A4 como sendo réplica de um fonon LO da linha A3. A origem da banda B1 não é muito clara; a banda B2 é interpretada como sendo a recombinação do elétron da banda de condução com nível aceitador profundo de Sn e a banda B3 como sendo réplica de um fonon da banda B2. Além disto, alguns efeitos foram observados: A posição em energia do éxciton livre (linha A1) está » 7.4MeV acima do valor encontrado na literatura. A posição em energia do éxciton ligado a impureza aceitadora profunda de Sn (linha A3) está » 10.4MeV abaixo do valor encontrado na literatura. Alguns comentários são feitos sobre os efeitos observadosAbstract: Photoluminescence measurements have been done on Sn doped GaAs samples (GaAs:Sn). The results have shown two emission regions: excitons (high energy) and deep levels (low energy). The exciton regions is characterized by the lines A1 (1.5224eV), A2 (1.5264eV), A3 (1.4966eV) and the deep level region by bands B1 (1.3612eV), B2 (1.3274eV) and B3 (1.2974eV). A1 line is interpreted as a free exciton transition; A2 as na exciton bound to Sn donor; A3 as na exciton bound to Sn acceptor and A4 as a LO phonon replica of A3. The origin of B1 band has not been clarified; B2 band is interpreted as a conduction electron ¿ Sn deep acceptor transition and B3 as being a phonon replica of B2 band. Moreover, some effects have been observed: The energy of the free exciton (A1 line) is » 7.4 meV higher than the value found in the literature. The energy of the bound exciton, A3 line, is » 10.4 meV lower than the value found in the literature. Some comments are made about the observed effectsMestradoFísicaMestre em Física[s.n.]Meneses, Eliermes Arraes, 1943-Universidade Estadual de Campinas. Instituto de Física Gleb WataghinPrograma de Pós-Graduação em FísicaUNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINASCardoso, Carmen Lucia Novis19851985-02-01T00:00:00Zinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisapplication/pdf56 f. : il.https://hdl.handle.net/20.500.12733/1576914CARDOSO, Carmen Lucia Novis. Fotoluminescência em GaAs dopado com Sn. 1985. 56 f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1576914. Acesso em: 14 mai. 2024.https://repositorio.unicamp.br/acervo/detalhe/46834porreponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instname:Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instacron:UNICAMPinfo:eu-repo/semantics/openAccess2017-12-06T11:27:13Zoai::46834Biblioteca Digital de Teses e DissertaçõesPUBhttp://repositorio.unicamp.br/oai/tese/oai.aspsbubd@unicamp.bropendoar:2017-12-06T11:27:13Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)false
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