Laser de faces clivadas com regiões ativas nanoestruturadas bombeados por injeção eletrônica

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Mialichi, José Roberto, 1979-
Data de Publicação: 2006
Tipo de documento: Dissertação
Idioma: por
Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
Texto Completo: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1606648
Resumo: Orientador: Newton Cesario Frateschi
id UNICAMP-30_f5d4be4266a0abafa4b9d32e1ae421ad
oai_identifier_str oai::420908
network_acronym_str UNICAMP-30
network_name_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
repository_id_str
spelling Laser de faces clivadas com regiões ativas nanoestruturadas bombeados por injeção eletrônicaCleaved face laser with nanostructured active region pumped by electronic injectionLasers semicondutoresNanoestruturaGanho óticoSemiconductor lasersNanostructuresOptical gainOrientador: Newton Cesario FrateschiDissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb WataghinResumo: Esta dissertação de mestrado apresenta estudos teóricos sobre o cálculo de ganho óptico em nanoestruturas baseadas no sistema InGaAs/InGaAsP. A partir da teoria de perturbação dependente do tempo, cuja perturbação é a interação de uma onda eletromagnética-matéria, e da teoria de Kane para a estrutura de bandas de semicondutores que relaciona a matriz de transição envolvida nos processos radiativos com parâmetros experimentais desta mesma banda, desenvolvemos todo o formalismo teórico deste cálculo do ganho óptico, além de criarmos uma ferramenta computacional para a aplicação do mesmo às nanoestruturas semicondutoras, tais como poço, fio e ponto quântico. Curvas espectrais de ganho são geradas para cada caso e as análises comparativas destas curvas demonstram que nanofios e nanopontos propiciam condições de alto ganho óptico devido ao confinamento de suas dimensões e, ainda melhor, controle espectral. O efeito da não-homogeneidade das dimensões dos pontos também é considerado. Subseqüentemente, aplicamos os resultados do cálculo de ganho óptico para calcular a corrente de limiar de lasers de semicondutores de faces clivadas a partir das equações de taxa de fótons e portadores na cavidade com a injeção de corrente elétrica. Um estudo é realizado para a otimização do comprimento da cavidade para cada um dos meios de amplificação de luz: bulk, poços, fios e pontos quânticos. Por fim, descrevemos nossos primeiros resultados para o crescimento epitaxial, através do método de crescimento epitaxial de feixe químico (CBE), dos componentes básicos de uma estrutura de laser de semicondutor. Fabricamos e caracterizamos um diodo de junção de InP e poços quânticos de InGaAs/InGaAsP. Amostras epitaxiais de lasers de poços quânticos obtidas externamente foram processadas em lasers de diversos comprimentos de cavidade e caracterizadas. Especialmente, apresentamos curvas de corrente de limiar em função do comprimento da cavidade do laser em concordância qualitativa com nossas simulações, estabelecendo o primeiro passo para o refinamento de nossa ferramenta computacionalAbstract: This master¿s dissertation presents the theoretical studies on the calculation of optical gain in nanostructures based on the InGaAs/InGaAsP/InP system. From the time dependent perturbation theory, where perturbation is the interaction of an electromagnetic wave with matter, and the Kane¿s theory for semiconductors band structure, relating the transition matrix involved in the radioactive processes with experimental parameters of the same band structure, we have developed a theoretical formalism for the optical gain calculation. We then developed a simulation tool to apply to semiconductors structures, such as well, wire, and quantum dot. Spectral gain curves are generated for each case and comparative analyses of these curves demonstrates that quantum wires and quantum dots provide higher optical gain due to its confined dimensions and, even better, much spectral control. The effects of non-homogeneous dot size distribution are also considered. Subsequently, we have applied the simulation tool to calculate the threshold current in semiconductor lasers with cleaved faces (edge emitting lasers), based on the rate equations for photons and carriers in the optical resonant cavity with the injection of electrical current. A study is performed for the optimization of the length of the cavity for each of active region medium: bulk, wells, wires, and quantum dots. Subsequently, we have described our first results for the epitaxial growth by chemical beam epitaxy (CBE) of the basic components of a semiconductor laser: InP junction diode and quantum wells of InGaAs/InGaAsP. Finally, epitaxial samples of quantum well lasers obtained externally were processed in lasers of several resonant cavity lengths and characterized. We have especially presented curves of threshold current as a function of the length of the resonant cavity of the laser in qualitative agreement with our simulations, establishing the first step for refining of our simulation toolMestradoFísica da Matéria CondensadaMestre em Física[s.n.]Frateschi, Newton Cesário, 1962-Carvalho, Mauro Monteiro Garcia dePires, Mauricio PamplonaUniversidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Instituto de Física Gleb WataghinPrograma de Pós-Graduação em FísicaUNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINASMialichi, José Roberto, 1979-20062006-03-31T00:00:00Zinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisapplication/pdf161 p. : il.(Broch.)https://hdl.handle.net/20.500.12733/1606648MIALICHI, José Roberto. Laser de faces clivadas com regiões ativas nanoestruturadas bombeados por injeção eletrônica. 2006. 161 p. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1606648. Acesso em: 2 set. 2024.https://repositorio.unicamp.br/acervo/detalhe/420908porreponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instname:Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instacron:UNICAMPinfo:eu-repo/semantics/openAccess2019-06-27T10:00:49Zoai::420908Biblioteca Digital de Teses e DissertaçõesPUBhttp://repositorio.unicamp.br/oai/tese/oai.aspsbubd@unicamp.bropendoar:2019-06-27T10:00:49Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)false
dc.title.none.fl_str_mv Laser de faces clivadas com regiões ativas nanoestruturadas bombeados por injeção eletrônica
Cleaved face laser with nanostructured active region pumped by electronic injection
title Laser de faces clivadas com regiões ativas nanoestruturadas bombeados por injeção eletrônica
spellingShingle Laser de faces clivadas com regiões ativas nanoestruturadas bombeados por injeção eletrônica
Mialichi, José Roberto, 1979-
Lasers semicondutores
Nanoestrutura
Ganho ótico
Semiconductor lasers
Nanostructures
Optical gain
title_short Laser de faces clivadas com regiões ativas nanoestruturadas bombeados por injeção eletrônica
title_full Laser de faces clivadas com regiões ativas nanoestruturadas bombeados por injeção eletrônica
title_fullStr Laser de faces clivadas com regiões ativas nanoestruturadas bombeados por injeção eletrônica
title_full_unstemmed Laser de faces clivadas com regiões ativas nanoestruturadas bombeados por injeção eletrônica
title_sort Laser de faces clivadas com regiões ativas nanoestruturadas bombeados por injeção eletrônica
author Mialichi, José Roberto, 1979-
author_facet Mialichi, José Roberto, 1979-
author_role author
dc.contributor.none.fl_str_mv Frateschi, Newton Cesário, 1962-
Carvalho, Mauro Monteiro Garcia de
Pires, Mauricio Pamplona
Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Instituto de Física Gleb Wataghin
Programa de Pós-Graduação em Física
UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS
dc.contributor.author.fl_str_mv Mialichi, José Roberto, 1979-
dc.subject.por.fl_str_mv Lasers semicondutores
Nanoestrutura
Ganho ótico
Semiconductor lasers
Nanostructures
Optical gain
topic Lasers semicondutores
Nanoestrutura
Ganho ótico
Semiconductor lasers
Nanostructures
Optical gain
description Orientador: Newton Cesario Frateschi
publishDate 2006
dc.date.none.fl_str_mv 2006
2006-03-31T00:00:00Z
dc.type.status.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/masterThesis
format masterThesis
status_str publishedVersion
dc.identifier.uri.fl_str_mv (Broch.)
https://hdl.handle.net/20.500.12733/1606648
MIALICHI, José Roberto. Laser de faces clivadas com regiões ativas nanoestruturadas bombeados por injeção eletrônica. 2006. 161 p. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1606648. Acesso em: 2 set. 2024.
identifier_str_mv (Broch.)
MIALICHI, José Roberto. Laser de faces clivadas com regiões ativas nanoestruturadas bombeados por injeção eletrônica. 2006. 161 p. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1606648. Acesso em: 2 set. 2024.
url https://hdl.handle.net/20.500.12733/1606648
dc.language.iso.fl_str_mv por
language por
dc.relation.none.fl_str_mv https://repositorio.unicamp.br/acervo/detalhe/420908
dc.rights.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
eu_rights_str_mv openAccess
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
161 p. : il.
dc.publisher.none.fl_str_mv [s.n.]
publisher.none.fl_str_mv [s.n.]
dc.source.none.fl_str_mv reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
instname:Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
instacron:UNICAMP
instname_str Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
instacron_str UNICAMP
institution UNICAMP
reponame_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
collection Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
repository.name.fl_str_mv Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
repository.mail.fl_str_mv sbubd@unicamp.br
_version_ 1809188981156347904

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