Modelagem para caracterização óptica de filmes óxidos depositados por sputtering reativo

• Autor(a) principal: Silva, Abner Hierro Quires da
• Data de Publicação: 2023
• Tipo de documento: Trabalho de conclusão de curso
• Idioma: por
• Título da fonte: Repositório Institucional da UNESP
• Texto Completo: http://hdl.handle.net/11449/243566
• topic: Caracterização; Filmes finos óxidos; Interferometria; Óptica de filmes finos; Modelagem computacional; Characterization; Oxide thin films; Interferometry; Thin film optics

Filmes de óxidos de metais de transição vêm desempenhando um importante papel nas tecnologias atuais[1],[2],[3]. Por apresentarem propriedades singulares têm sido usados como camadas em células fotovoltaicas[1], processos fotocatalíticos[4], eletrodos de baterias[5], e como recobrimento em implantes ósseos[6], dentre outras aplicações. Um importante aspecto desses filmes é o processo de caracterização, que distingue os filmes a partir das suas propriedades, já que as propriedades dos filmes definem suas respectivas aplicações. Neste trabalho é relatado o desenvolvimento de uma modelagem, ou seja, um método computacional para caracterização, com base em interferometria óptica, de filmes finos de óxidos transparentes ou levemente transparentes crescidos por sputtering reativo. O método foi aplicado para caracterização óptica de filmes finos de óxidos metálicos de TiO2 (dióxido de titânio) e Nb2O5 (pentóxido de nióbio) crescidos por sputtering reativo em substratos de SiO2 (dióxido de silício). A modelagem tem como resultado um espectro de transmitância calculado que apresenta boa concordância com o espectro de transmitância experimental das amostras. O espectro é calculado a partir das variáveis de entrada do índice de refração e espessura do filme definidas tentativamente. A modelagem apresenta ser promissora para caracterização de filmes finos de óxidos transparentes ou levemente transparentes.