Filmes finos de LaNiO3 e PZT preparados pelo métodos das soluções precursoras poliméricas e depositados em substratos de silício

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Souza, Éder Carlos Ferreira de [UNESP]
Data de Publicação: 2006
Tipo de documento: Tese
Idioma: por
Título da fonte: Repositório Institucional da UNESP
Texto Completo: http://hdl.handle.net/11449/102584
Resumo: Nesta tese estudou-se a preparação de filmes finos de PZT não dopados e dopados com Nióbio, depositados sobre substratos de Pt/Ti/SiO2/Si para aplicações em memórias não voláteis de acesso randômico (NVRAM) e memórias ferroelétricas de acesso randômico (FeRAM). A dopagem dos filmes de PZT com Nióbio foi realizada visando obter valores ótimos nas propriedades ferroelétricas para a aplicação destes filmes como memórias ferroelétricas. Todavia, problemas como imprint, corrente de fuga e fadiga na polarização, estão presentes nos dispositivos de memórias contendo filmes de PZT sobre substratos platinizados. Para tentar resolver estes problemas, estudamos a produção de eletrodos de LaNiO3 depositados sobre substratos de SiO2/Si, para substituição dos substratos com eletrodos de Pt na preparação de filmes de PZT. Além disso, a dopagem do PZT com Nb levou a uma melhoria na resistência à fadiga em substratos platinizados. Os filmes foram preparados pelo método das soluções precursoras poliméricas. A influência do tratamento térmico, em forno convencional e em forno microondas, nas propriedades microestruturais e ferroelétricas dos filmes também foi avaliada.
id UNSP_4893a9c53eaaa21a4055d855c718e2b1
oai_identifier_str oai:repositorio.unesp.br:11449/102584
network_acronym_str UNSP
network_name_str Repositório Institucional da UNESP
repository_id_str 2946
spelling Filmes finos de LaNiO3 e PZT preparados pelo métodos das soluções precursoras poliméricas e depositados em substratos de silícioFilmes finos - MateriaisNiobioPrecursores poliméricosFísico-químicaMemórias ferroelétricasThin filmNiobiumFerroelectric memoriesNesta tese estudou-se a preparação de filmes finos de PZT não dopados e dopados com Nióbio, depositados sobre substratos de Pt/Ti/SiO2/Si para aplicações em memórias não voláteis de acesso randômico (NVRAM) e memórias ferroelétricas de acesso randômico (FeRAM). A dopagem dos filmes de PZT com Nióbio foi realizada visando obter valores ótimos nas propriedades ferroelétricas para a aplicação destes filmes como memórias ferroelétricas. Todavia, problemas como imprint, corrente de fuga e fadiga na polarização, estão presentes nos dispositivos de memórias contendo filmes de PZT sobre substratos platinizados. Para tentar resolver estes problemas, estudamos a produção de eletrodos de LaNiO3 depositados sobre substratos de SiO2/Si, para substituição dos substratos com eletrodos de Pt na preparação de filmes de PZT. Além disso, a dopagem do PZT com Nb levou a uma melhoria na resistência à fadiga em substratos platinizados. Os filmes foram preparados pelo método das soluções precursoras poliméricas. A influência do tratamento térmico, em forno convencional e em forno microondas, nas propriedades microestruturais e ferroelétricas dos filmes também foi avaliada.In this thesis, we have studied the preparation of non-doped and Nb-doped PZT thin films deposited on Pt/Ti/SiO2/Si substrates for applications in NVRAM and FeRAM devices. Nb doping of PZT films produces good values of ferroelectric properties for the application as ferroelectric memories. PZT films on Pt electrodes present imprint, fatigue and leakage current. We have prepared LaNiO3 films on SiO2/Si substrates to substitute Pt electrodes. Moreover, Nb-doped PZT films deposited on Pt electrodes lead to improved fatigue resistance when compared with non doped PZT films. Non-doped and Nb-doped PZT thin films and LaNiO3 thin films were deposited by the polymeric precursor method. The influence of the thermal treatment in conventional and microwaves oven on the microstructural and ferroelectric properties was evaluated.Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)Universidade Estadual Paulista (Unesp)Varela, José Arana [UNESP]Universidade Estadual Paulista (Unesp)Souza, Éder Carlos Ferreira de [UNESP]2014-06-11T19:32:11Z2014-06-11T19:32:11Z2006-04-24info:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/doctoralThesis110 f. : il.application/pdfSOUZA, Éder Carlos Ferreira de. Filmes finos de LaNiO3 e PZT preparados pelo métodos das soluções precursoras poliméricas e depositados em substratos de silício. 2006. 110 f. Tese (doutorado) - Universidade Estadual Paulista, Instituto de Química, 2006.http://hdl.handle.net/11449/102584000464992souza_ecf_dr_araiq.pdf33004030072P8Alephreponame:Repositório Institucional da UNESPinstname:Universidade Estadual Paulista (UNESP)instacron:UNESPporinfo:eu-repo/semantics/openAccess2023-12-05T06:22:50Zoai:repositorio.unesp.br:11449/102584Repositório InstitucionalPUBhttp://repositorio.unesp.br/oai/requestopendoar:29462024-08-05T19:35:12.167527Repositório Institucional da UNESP - Universidade Estadual Paulista (UNESP)false
dc.title.none.fl_str_mv Filmes finos de LaNiO3 e PZT preparados pelo métodos das soluções precursoras poliméricas e depositados em substratos de silício
title Filmes finos de LaNiO3 e PZT preparados pelo métodos das soluções precursoras poliméricas e depositados em substratos de silício
spellingShingle Filmes finos de LaNiO3 e PZT preparados pelo métodos das soluções precursoras poliméricas e depositados em substratos de silício
Souza, Éder Carlos Ferreira de [UNESP]
Filmes finos - Materiais
Niobio
Precursores poliméricos
Físico-química
Memórias ferroelétricas
Thin film
Niobium
Ferroelectric memories
title_short Filmes finos de LaNiO3 e PZT preparados pelo métodos das soluções precursoras poliméricas e depositados em substratos de silício
title_full Filmes finos de LaNiO3 e PZT preparados pelo métodos das soluções precursoras poliméricas e depositados em substratos de silício
title_fullStr Filmes finos de LaNiO3 e PZT preparados pelo métodos das soluções precursoras poliméricas e depositados em substratos de silício
title_full_unstemmed Filmes finos de LaNiO3 e PZT preparados pelo métodos das soluções precursoras poliméricas e depositados em substratos de silício
title_sort Filmes finos de LaNiO3 e PZT preparados pelo métodos das soluções precursoras poliméricas e depositados em substratos de silício
author Souza, Éder Carlos Ferreira de [UNESP]
author_facet Souza, Éder Carlos Ferreira de [UNESP]
author_role author
dc.contributor.none.fl_str_mv Varela, José Arana [UNESP]
Universidade Estadual Paulista (Unesp)
dc.contributor.author.fl_str_mv Souza, Éder Carlos Ferreira de [UNESP]
dc.subject.por.fl_str_mv Filmes finos - Materiais
Niobio
Precursores poliméricos
Físico-química
Memórias ferroelétricas
Thin film
Niobium
Ferroelectric memories
topic Filmes finos - Materiais
Niobio
Precursores poliméricos
Físico-química
Memórias ferroelétricas
Thin film
Niobium
Ferroelectric memories
description Nesta tese estudou-se a preparação de filmes finos de PZT não dopados e dopados com Nióbio, depositados sobre substratos de Pt/Ti/SiO2/Si para aplicações em memórias não voláteis de acesso randômico (NVRAM) e memórias ferroelétricas de acesso randômico (FeRAM). A dopagem dos filmes de PZT com Nióbio foi realizada visando obter valores ótimos nas propriedades ferroelétricas para a aplicação destes filmes como memórias ferroelétricas. Todavia, problemas como imprint, corrente de fuga e fadiga na polarização, estão presentes nos dispositivos de memórias contendo filmes de PZT sobre substratos platinizados. Para tentar resolver estes problemas, estudamos a produção de eletrodos de LaNiO3 depositados sobre substratos de SiO2/Si, para substituição dos substratos com eletrodos de Pt na preparação de filmes de PZT. Além disso, a dopagem do PZT com Nb levou a uma melhoria na resistência à fadiga em substratos platinizados. Os filmes foram preparados pelo método das soluções precursoras poliméricas. A influência do tratamento térmico, em forno convencional e em forno microondas, nas propriedades microestruturais e ferroelétricas dos filmes também foi avaliada.
publishDate 2006
dc.date.none.fl_str_mv 2006-04-24
2014-06-11T19:32:11Z
2014-06-11T19:32:11Z
dc.type.status.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/doctoralThesis
format doctoralThesis
status_str publishedVersion
dc.identifier.uri.fl_str_mv SOUZA, Éder Carlos Ferreira de. Filmes finos de LaNiO3 e PZT preparados pelo métodos das soluções precursoras poliméricas e depositados em substratos de silício. 2006. 110 f. Tese (doutorado) - Universidade Estadual Paulista, Instituto de Química, 2006.
http://hdl.handle.net/11449/102584
000464992
souza_ecf_dr_araiq.pdf
33004030072P8
identifier_str_mv SOUZA, Éder Carlos Ferreira de. Filmes finos de LaNiO3 e PZT preparados pelo métodos das soluções precursoras poliméricas e depositados em substratos de silício. 2006. 110 f. Tese (doutorado) - Universidade Estadual Paulista, Instituto de Química, 2006.
000464992
souza_ecf_dr_araiq.pdf
33004030072P8
url http://hdl.handle.net/11449/102584
dc.language.iso.fl_str_mv por
language por
dc.rights.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
eu_rights_str_mv openAccess
dc.format.none.fl_str_mv 110 f. : il.
application/pdf
dc.publisher.none.fl_str_mv Universidade Estadual Paulista (Unesp)
publisher.none.fl_str_mv Universidade Estadual Paulista (Unesp)
dc.source.none.fl_str_mv Aleph
reponame:Repositório Institucional da UNESP
instname:Universidade Estadual Paulista (UNESP)
instacron:UNESP
instname_str Universidade Estadual Paulista (UNESP)
instacron_str UNESP
institution UNESP
reponame_str Repositório Institucional da UNESP
collection Repositório Institucional da UNESP
repository.name.fl_str_mv Repositório Institucional da UNESP - Universidade Estadual Paulista (UNESP)
repository.mail.fl_str_mv
_version_ 1808129090713026560

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