Síntese e caracterização de silicato de zinco dopado com manganês

• Autor(a) principal: Porcel, Henrique Reatto [UNESP]
• Data de Publicação: 2019
• Tipo de documento: Dissertação
• Idioma: por
• Título da fonte: Repositório Institucional da UNESP
• Texto Completo: http://hdl.handle.net/11449/191121
• topic: Física aplicada; Silicato de zinco; Nanopartículas; Difração de raios X; Silicato; Zn2SiO4; Applied physics; Zinc silicate; Nanoparticles; X-ray diffraction; Silicate

Os materiais nanoestruturados vêm sendo extensivamente estudados, não somente pelas novas propriedades e suas possíveis aplicações tecnológicas, mas também pela busca de uma melhor compreensão dos aspectos físicos e químicos. Em relação a materiais semicondutores, estudos da estrutura em escala nanométrica tem recebido considerável interesse em razão do efeito de tamanho que exibem. Semicondutores nanocristalinos apresentam propriedades eletrônicas intermediárias entre aqueles de estrutura molecular e sólidos macrocristalinos e são objeto de intensa pesquisa, apresentando uma grande diversidade de aplicações quando na forma nanoestruturada. Dentre esses materiais, o silicato de zinco (Zn2SiO4) puro ou dopado tem recebido atenção em razão de notáveis propriedades fundamentais, versatilidade e potencial para diversas aplicações tecnológicas. Nesse contexto, essa dissertação teve como objetivo realizar a síntese e a caracterização de Zn2SiO4 puro e dopado com átomos de manganês e sua correlação com propriedades fotoluminescentes. Neste trabalho, foi utilizado o método químico de preparação conhecido por co-preciptação. Deste modo, a caracterização morfológica foi realizada através da técnica de microscopia eletrônica de varredura de alta resolução (FEG-MEV), a qual demonstra um aglomerado de grãos, tornando a determinação do tamanho do mesmo difícil. As propriedades estruturais das nanopartículas, bem como suas propriedades físicas e químicas, foram determinadas através das técnicas de difração de raios X, espectroscopia Raman e fotoluminescência, com a qual é possível observar a formação de partículas nanométricas e os picos de excitação e emissão. A estrutura local dos materiais semicondutores foi avaliada através de técnicas absorção de raios X (XANES) as quais foram realizadas no Laboratório Nacional de Luz Sincrotron (LNLS), onde foram analisadas a borda K do Mn.