Investigação de propriedades de filmes finos de Sn'O IND. 2' e 'Al IND. 2''O IND. 3' para aplicação em dispositivos

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Maciel Júnior, Jorge Luiz Barbosa [UNESP]
Data de Publicação: 2010
Tipo de documento: Dissertação
Idioma: por
Título da fonte: Repositório Institucional da UNESP
Texto Completo: http://hdl.handle.net/11449/88456
Resumo: A proposta deste trabalho é a investigação das propriedades elétricas e ópticas de filmes finos de dióxido de estanho (Sn'O IND. 2') obtidos via sol-gel e por solução alcoólica depositados via dip-coating, e, filmes de alumina ('Al IND. 2''O IND. 3') obtidos por deposição de filmes de alumínio (Al) via evaporação resistiva e tratamento térmico em diferentes ambientes, para promover a oxidação de Al. A investigação individual quanto às propriedades ópticas e elétricas desses materiais conhecer seu comportamento na forma de filmes, e estudar a região interfacial de Sn'O IND. 2' e 'Al IND. 2''O IND. 3'. As caracterizações estruturais dos filmes foram feitas por difração de raios-X (DRX), e, no caso dos filmes de alumina, utilizou-se também microscopia eletrônica de varredura (MEV) e microscopia óptica. Nas caracterizações ópticas foram utilizadas técnicas de espectroscopia na região do ultravioleta e no infravermelho próximo (UV-Vis-Nir). Tanto os filmes obtidos por meio alcoólico como obtidos via SGDC foram caracterizados como sendo de Sn'O IND. 2' de estrutura tetragonal do tipo rutilo, sendo que os filmes obtidos via processo alcoólico apresentaram condutividade elétrica maior do que os filmes obtidos via SGDC. Os resultados referentes aos filmes finos de alumínio indicam que independentemente da quantidade de camadas de alumínio depositadas e da atmosfera de tratamento térmico, tem-se a oxidação do alumínio à alumina ('Al IND. 2''O IND. 3'), sendo que a estrutura dominante depende da atmosfera de tratamento. A sua utilização como camada isolante no gate em dispositivo metal-óxido-semicondutor é viável, pois a corrente fonte-dreno apresenta valores significativamente maiores do que a corrente fonte-gate.
id UNSP_6515f3a25d0e43d01b0d6697b60fdbbe
oai_identifier_str oai:repositorio.unesp.br:11449/88456
network_acronym_str UNSP
network_name_str Repositório Institucional da UNESP
repository_id_str 2946
spelling Investigação de propriedades de filmes finos de Sn'O IND. 2' e 'Al IND. 2''O IND. 3' para aplicação em dispositivosFilmes finosDióxido de estanhoAluminaEvaporação resistivaMolhamentoTin dioxideResistive evaporationA proposta deste trabalho é a investigação das propriedades elétricas e ópticas de filmes finos de dióxido de estanho (Sn'O IND. 2') obtidos via sol-gel e por solução alcoólica depositados via dip-coating, e, filmes de alumina ('Al IND. 2''O IND. 3') obtidos por deposição de filmes de alumínio (Al) via evaporação resistiva e tratamento térmico em diferentes ambientes, para promover a oxidação de Al. A investigação individual quanto às propriedades ópticas e elétricas desses materiais conhecer seu comportamento na forma de filmes, e estudar a região interfacial de Sn'O IND. 2' e 'Al IND. 2''O IND. 3'. As caracterizações estruturais dos filmes foram feitas por difração de raios-X (DRX), e, no caso dos filmes de alumina, utilizou-se também microscopia eletrônica de varredura (MEV) e microscopia óptica. Nas caracterizações ópticas foram utilizadas técnicas de espectroscopia na região do ultravioleta e no infravermelho próximo (UV-Vis-Nir). Tanto os filmes obtidos por meio alcoólico como obtidos via SGDC foram caracterizados como sendo de Sn'O IND. 2' de estrutura tetragonal do tipo rutilo, sendo que os filmes obtidos via processo alcoólico apresentaram condutividade elétrica maior do que os filmes obtidos via SGDC. Os resultados referentes aos filmes finos de alumínio indicam que independentemente da quantidade de camadas de alumínio depositadas e da atmosfera de tratamento térmico, tem-se a oxidação do alumínio à alumina ('Al IND. 2''O IND. 3'), sendo que a estrutura dominante depende da atmosfera de tratamento. A sua utilização como camada isolante no gate em dispositivo metal-óxido-semicondutor é viável, pois a corrente fonte-dreno apresenta valores significativamente maiores do que a corrente fonte-gate.The main goal of this work is the investigation of properties of tin dioxide (Sn'O IND. 2') and alumina ('Al IND. 2''O IND. 3) thin films. The first one was obtained through the sol-gel process as well as alcoholic solution, via dip-coating. The alumina thin films were obtained by resistive evaporation of aluminum (Al) followed by thermal annealing in distinct atmospheres, to promote the Al oxidation. The individual investigation of optical and electrical properties of these materials aims the knowledge of their behavior as thin films, which allows studying the interface layer of the heterojunction Sn'O IND. 2' e 'Al IND. 2''O IND. 3'. Structural characterization of films was carried out by X-ray diffraction (XRD) technique and particularly on the alumina films, scanning electron microscopy (SEM) and optical microscopy were done. For the optical characterization, wide spectra were obtained, with spectroscopy from ultraviolet to near infrared (UV-Vis-Nir). Either the films obtained in the alcoholic solution as well as via SGDC, where characterized as Sn'O IND. 2' of tetragonal structure of rutile type, and the films obtained through alcoholic process present electrical conductivity higher than the films obtained via SGDC. Results on aluminum thin films indicate that independent on the amount of deposited aluminum and thermal annealing atmosphere, the oxidation of aluminum to alumina ('Al IND. 2''O IND. 3) takes place, but the dominant alumina structure depends on the thermal annealing atmosphere. Besides, its utilization as insulating layer at the gate of a metal-oxide semicondutor device is achievable, because the source-drain current is significantly higher than the source-gate current.Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)Universidade Estadual Paulista (Unesp)Scalvi, Luis Vicente de Andrade [UNESP]Universidade Estadual Paulista (Unesp)Maciel Júnior, Jorge Luiz Barbosa [UNESP]2014-06-11T19:23:29Z2014-06-11T19:23:29Z2010-02-18info:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesis110 f. : il.application/pdfMACIEL JÚNIOR, Jorge Luiz Barbosa. Investigação de propriedades de filmes finos de Sn'O IND. 2' e 'Al IND. 2''O IND. 3' para aplicação em dispositivos. 2010. 110 f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual Paulista, Faculdade de Ciências de Bauru, 2010.http://hdl.handle.net/11449/88456000610429macieljunior_jlb_me_bauru.pdf33004056083P77730719476451232Alephreponame:Repositório Institucional da UNESPinstname:Universidade Estadual Paulista (UNESP)instacron:UNESPporinfo:eu-repo/semantics/openAccess2023-12-30T06:22:14Zoai:repositorio.unesp.br:11449/88456Repositório InstitucionalPUBhttp://repositorio.unesp.br/oai/requestopendoar:29462024-08-05T21:43:32.105482Repositório Institucional da UNESP - Universidade Estadual Paulista (UNESP)false
dc.title.none.fl_str_mv Investigação de propriedades de filmes finos de Sn'O IND. 2' e 'Al IND. 2''O IND. 3' para aplicação em dispositivos
title Investigação de propriedades de filmes finos de Sn'O IND. 2' e 'Al IND. 2''O IND. 3' para aplicação em dispositivos
spellingShingle Investigação de propriedades de filmes finos de Sn'O IND. 2' e 'Al IND. 2''O IND. 3' para aplicação em dispositivos
Maciel Júnior, Jorge Luiz Barbosa [UNESP]
Filmes finos
Dióxido de estanho
Alumina
Evaporação resistiva
Molhamento
Tin dioxide
Resistive evaporation
title_short Investigação de propriedades de filmes finos de Sn'O IND. 2' e 'Al IND. 2''O IND. 3' para aplicação em dispositivos
title_full Investigação de propriedades de filmes finos de Sn'O IND. 2' e 'Al IND. 2''O IND. 3' para aplicação em dispositivos
title_fullStr Investigação de propriedades de filmes finos de Sn'O IND. 2' e 'Al IND. 2''O IND. 3' para aplicação em dispositivos
title_full_unstemmed Investigação de propriedades de filmes finos de Sn'O IND. 2' e 'Al IND. 2''O IND. 3' para aplicação em dispositivos
title_sort Investigação de propriedades de filmes finos de Sn'O IND. 2' e 'Al IND. 2''O IND. 3' para aplicação em dispositivos
author Maciel Júnior, Jorge Luiz Barbosa [UNESP]
author_facet Maciel Júnior, Jorge Luiz Barbosa [UNESP]
author_role author
dc.contributor.none.fl_str_mv Scalvi, Luis Vicente de Andrade [UNESP]
Universidade Estadual Paulista (Unesp)
dc.contributor.author.fl_str_mv Maciel Júnior, Jorge Luiz Barbosa [UNESP]
dc.subject.por.fl_str_mv Filmes finos
Dióxido de estanho
Alumina
Evaporação resistiva
Molhamento
Tin dioxide
Resistive evaporation
topic Filmes finos
Dióxido de estanho
Alumina
Evaporação resistiva
Molhamento
Tin dioxide
Resistive evaporation
description A proposta deste trabalho é a investigação das propriedades elétricas e ópticas de filmes finos de dióxido de estanho (Sn'O IND. 2') obtidos via sol-gel e por solução alcoólica depositados via dip-coating, e, filmes de alumina ('Al IND. 2''O IND. 3') obtidos por deposição de filmes de alumínio (Al) via evaporação resistiva e tratamento térmico em diferentes ambientes, para promover a oxidação de Al. A investigação individual quanto às propriedades ópticas e elétricas desses materiais conhecer seu comportamento na forma de filmes, e estudar a região interfacial de Sn'O IND. 2' e 'Al IND. 2''O IND. 3'. As caracterizações estruturais dos filmes foram feitas por difração de raios-X (DRX), e, no caso dos filmes de alumina, utilizou-se também microscopia eletrônica de varredura (MEV) e microscopia óptica. Nas caracterizações ópticas foram utilizadas técnicas de espectroscopia na região do ultravioleta e no infravermelho próximo (UV-Vis-Nir). Tanto os filmes obtidos por meio alcoólico como obtidos via SGDC foram caracterizados como sendo de Sn'O IND. 2' de estrutura tetragonal do tipo rutilo, sendo que os filmes obtidos via processo alcoólico apresentaram condutividade elétrica maior do que os filmes obtidos via SGDC. Os resultados referentes aos filmes finos de alumínio indicam que independentemente da quantidade de camadas de alumínio depositadas e da atmosfera de tratamento térmico, tem-se a oxidação do alumínio à alumina ('Al IND. 2''O IND. 3'), sendo que a estrutura dominante depende da atmosfera de tratamento. A sua utilização como camada isolante no gate em dispositivo metal-óxido-semicondutor é viável, pois a corrente fonte-dreno apresenta valores significativamente maiores do que a corrente fonte-gate.
publishDate 2010
dc.date.none.fl_str_mv 2010-02-18
2014-06-11T19:23:29Z
2014-06-11T19:23:29Z
dc.type.status.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/masterThesis
format masterThesis
status_str publishedVersion
dc.identifier.uri.fl_str_mv MACIEL JÚNIOR, Jorge Luiz Barbosa. Investigação de propriedades de filmes finos de Sn'O IND. 2' e 'Al IND. 2''O IND. 3' para aplicação em dispositivos. 2010. 110 f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual Paulista, Faculdade de Ciências de Bauru, 2010.
http://hdl.handle.net/11449/88456
000610429
macieljunior_jlb_me_bauru.pdf
33004056083P7
7730719476451232
identifier_str_mv MACIEL JÚNIOR, Jorge Luiz Barbosa. Investigação de propriedades de filmes finos de Sn'O IND. 2' e 'Al IND. 2''O IND. 3' para aplicação em dispositivos. 2010. 110 f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual Paulista, Faculdade de Ciências de Bauru, 2010.
000610429
macieljunior_jlb_me_bauru.pdf
33004056083P7
7730719476451232
url http://hdl.handle.net/11449/88456
dc.language.iso.fl_str_mv por
language por
dc.rights.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
eu_rights_str_mv openAccess
dc.format.none.fl_str_mv 110 f. : il.
application/pdf
dc.publisher.none.fl_str_mv Universidade Estadual Paulista (Unesp)
publisher.none.fl_str_mv Universidade Estadual Paulista (Unesp)
dc.source.none.fl_str_mv Aleph
reponame:Repositório Institucional da UNESP
instname:Universidade Estadual Paulista (UNESP)
instacron:UNESP
instname_str Universidade Estadual Paulista (UNESP)
instacron_str UNESP
institution UNESP
reponame_str Repositório Institucional da UNESP
collection Repositório Institucional da UNESP
repository.name.fl_str_mv Repositório Institucional da UNESP - Universidade Estadual Paulista (UNESP)
repository.mail.fl_str_mv
_version_ 1808129350745194496