Índices fisiológicos e flavonoides de Passiflora incarnata L. submetida a doses de silício e dano mecânico
Autor(a) principal: | |
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Data de Publicação: | 2020 |
Tipo de documento: | Dissertação |
Idioma: | por |
Título da fonte: | Repositório Institucional da UNESP |
Texto Completo: | http://hdl.handle.net/11449/202115 |
Resumo: | Passiflora incarnata L. é uma das espécies medicinais de maior interesse farmacológico do mundo e investigações sobre seu cultivo podem resultar em aumento de biomassa e princípio ativo. Como o silício atua nos metabolismos primário e especializado em plantas e dano mecânico é previsto em cultivos comerciais (podas), objetivou-se investigar índices do metabolismo primário e especializado de Passiflora incarnata L. em função do fornecimento de silício e remoção da parte aérea. O ensaio foi conduzido em casa de vegetação do departamento de Bioestatística, Biologia Vegetal, Parasitologia e Zoologia (IB – UNESP, Botucatu-SP) em blocos casualizados constituídos por quatro níveis de silício (0, 1, 2 e 3 mM de SiO2), em 5 repetições, na presença ou ausência de dano mecânico. Avaliou-se índice de polifenóis, flavonoide vitexina, trocas gasosas, fluorescência da clorofila a, índices fisiológicos, açúcares, peróxido de hidrogênio e peroxidação lipídica. Dano, por remoção de parte aérea, associado ao fornecimento de silício resultou em aumento de medidas pontuais de trocas gasosas e fluorescência. Na ausência de dano mecânico e com maiores concentrações de silício, foi observado aumento de peroxidação lipídica e menor teor de açúcares solúveis totais e sacarose. Plantas submetidas a 2 mM de SiO2 revelaram elevadas matéria seca de folhas e total. Já o maior teor de polifenóis e vitexina foi verificado em plantas com 3 mM de SiO2. Sugere-se que silício pode contribuir com o cultivo da P. incarnata, principalmente quando associado a dano mecânico, por remoção da parte aérea. A concentração de 3 mM de SiO2 foi adequada para os índices fisiológicos avaliados. |
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Índices fisiológicos e flavonoides de Passiflora incarnata L. submetida a doses de silício e dano mecânicoPhysiological indices and flavonoids of Passiflora incarnata L. submitted to silicon levels and mechanical damageFotossínteseVitexinaCromatografia líquidaPhotosynthesisLiquid chromatographyVitexinPassiflora incarnata L. é uma das espécies medicinais de maior interesse farmacológico do mundo e investigações sobre seu cultivo podem resultar em aumento de biomassa e princípio ativo. Como o silício atua nos metabolismos primário e especializado em plantas e dano mecânico é previsto em cultivos comerciais (podas), objetivou-se investigar índices do metabolismo primário e especializado de Passiflora incarnata L. em função do fornecimento de silício e remoção da parte aérea. O ensaio foi conduzido em casa de vegetação do departamento de Bioestatística, Biologia Vegetal, Parasitologia e Zoologia (IB – UNESP, Botucatu-SP) em blocos casualizados constituídos por quatro níveis de silício (0, 1, 2 e 3 mM de SiO2), em 5 repetições, na presença ou ausência de dano mecânico. Avaliou-se índice de polifenóis, flavonoide vitexina, trocas gasosas, fluorescência da clorofila a, índices fisiológicos, açúcares, peróxido de hidrogênio e peroxidação lipídica. Dano, por remoção de parte aérea, associado ao fornecimento de silício resultou em aumento de medidas pontuais de trocas gasosas e fluorescência. Na ausência de dano mecânico e com maiores concentrações de silício, foi observado aumento de peroxidação lipídica e menor teor de açúcares solúveis totais e sacarose. Plantas submetidas a 2 mM de SiO2 revelaram elevadas matéria seca de folhas e total. Já o maior teor de polifenóis e vitexina foi verificado em plantas com 3 mM de SiO2. Sugere-se que silício pode contribuir com o cultivo da P. incarnata, principalmente quando associado a dano mecânico, por remoção da parte aérea. A concentração de 3 mM de SiO2 foi adequada para os índices fisiológicos avaliados.Passiflora incarnata L. is one of the medicinal plants of greatest pharmacological interest in the world and research about its cultivation can result in biomass and an active ingredient increase. Silicon is a promoter of primary and specialized metabolisms in plants and mechanical damage is expected in commercial crops (pruning). Therefore, the objective was to investigate Passiflora incarnata L. primary and specialized metabolism indexes with silicon supply and pruning. The test was conducted in greenhouse of Biostatistics, Plant Biology, Parasitology and Zoology Department (IB - UNESP, Botucatu-SP) in randomized blocks consisting of four silicon levels (0, 1, 2 and 3 mM SiO2, 5 repetitions) in presence or absence of mechanical damage. Polyphenols, vitexin, gas exchange, chlorophyll a fluorescence, physiological indexes, sugars, hydrogen peroxide and lipid peroxidation were evaluated. Damage (aerial parts removal) associated with the supply of silicon resulted in increased gas exchange and fluorescence measurements. Without mechanical damage and with higher concentrations of silicon, an increase in lipid peroxidation and a lower total sugars and sucrose content were observed. Plants submitted to 2 mM SiO2 showed high leaf and total dry matter. The highest silicon concentration revealed an increase in the polyphenols and vitexin content. It is suggested that silicon may contribute to the Passiflora incarnata L. cultivation, especially when associated with mechanical damage, by removing the aerial part. The concentration of 3 mM SiO2 proved to be beneficial for the physiological indexes evaluated.Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)88882433018/2019-01Universidade Estadual Paulista (Unesp)Boaro, Carmen Sílvia Fernandes [UNESP]Godoy, Leandro José Grava deUniversidade Estadual Paulista (Unesp)Pagassini, Jonas Akenaton Venturineli [UNESP]2020-12-12T23:53:14Z2020-12-12T23:53:14Z2020-08-14info:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisapplication/pdfhttp://hdl.handle.net/11449/20211533004064014P0porinfo:eu-repo/semantics/openAccessreponame:Repositório Institucional da UNESPinstname:Universidade Estadual Paulista (UNESP)instacron:UNESP2024-05-02T14:30:08Zoai:repositorio.unesp.br:11449/202115Repositório InstitucionalPUBhttp://repositorio.unesp.br/oai/requestopendoar:29462024-08-05T18:31:09.346634Repositório Institucional da UNESP - Universidade Estadual Paulista (UNESP)false |
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Passiflora incarnata L. é uma das espécies medicinais de maior interesse farmacológico do mundo e investigações sobre seu cultivo podem resultar em aumento de biomassa e princípio ativo. Como o silício atua nos metabolismos primário e especializado em plantas e dano mecânico é previsto em cultivos comerciais (podas), objetivou-se investigar índices do metabolismo primário e especializado de Passiflora incarnata L. em função do fornecimento de silício e remoção da parte aérea. O ensaio foi conduzido em casa de vegetação do departamento de Bioestatística, Biologia Vegetal, Parasitologia e Zoologia (IB – UNESP, Botucatu-SP) em blocos casualizados constituídos por quatro níveis de silício (0, 1, 2 e 3 mM de SiO2), em 5 repetições, na presença ou ausência de dano mecânico. Avaliou-se índice de polifenóis, flavonoide vitexina, trocas gasosas, fluorescência da clorofila a, índices fisiológicos, açúcares, peróxido de hidrogênio e peroxidação lipídica. Dano, por remoção de parte aérea, associado ao fornecimento de silício resultou em aumento de medidas pontuais de trocas gasosas e fluorescência. Na ausência de dano mecânico e com maiores concentrações de silício, foi observado aumento de peroxidação lipídica e menor teor de açúcares solúveis totais e sacarose. Plantas submetidas a 2 mM de SiO2 revelaram elevadas matéria seca de folhas e total. Já o maior teor de polifenóis e vitexina foi verificado em plantas com 3 mM de SiO2. Sugere-se que silício pode contribuir com o cultivo da P. incarnata, principalmente quando associado a dano mecânico, por remoção da parte aérea. A concentração de 3 mM de SiO2 foi adequada para os índices fisiológicos avaliados. |
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