Síntese e caracterização das fases metaestáveis de Ga2O3 e de partículas de α-Ga2O3 dopadas com Sn4+ por precipitação por condensação por refluxo visando aplicação em dispositivos optoeletrônicos e sensores de gás

• Autor(a) principal: Sabino, Naira Linhares
• Data de Publicação: 2023
• Tipo de documento: Trabalho de conclusão de curso
• Idioma: por
• Título da fonte: Repositório Institucional da UNESP
• Texto Completo: http://hdl.handle.net/11449/238933
• topic: Gálio; Detectores; Fotoluminescência; Semicondutores dopados; Gases - Análise

O presente trabalho propôs a obtenção das diferentes fases de Ga2O3 por um método ambientalmente amigável e de menor custo. Nanopartículas de Ga2O3 são apontadas como candidatas na aplicação em dispositivos optoeletrônicos e sensores de gás devido às suas propriedades semicondutoras. A caracterização por MEV comprovou a obtenção das partículas pelo método proposto, com morfologia elipsoidal. As fases obtidas e a cristalinidade do material foram comprovadas por análises de DRX, que comprovaram a obtenção do precursor GaO(OH) e das fases mais estáveis (β) e (α). A análise de fotoluminescência apontou uma emissão na cor azul do espectro eletromagnético, com intensidade crescente em relação ao aumento da temperatura de calcinação. Partículas de α-Ga2O3 foram obtidas com a adição de Sn4+ como agente dopante em temperaturas de 350 ºC e 650 ºC, a fim de melhorar as propriedades do material. As análises de microscopia apontaram o aumento do tamanho da partícula e da porosidade com o aumento da temperatura de calcinação. As análises de fotoluminescência apontaram uma elevação na intensidade de emissão das partículas dopadas em relação às não dopadas. A determinação da resistência elétrica das partículas apontou uma redução de 880 MΩ (±56) para 256 MΩ (±25) com 3% de Sn4+. As análises de sensor apontaram um sinal baixo para H2, CO e NO2. Os resultados apresentados demonstram que as estruturas de Ga2O3 apresentam potencial para as aplicações propostas e estudos futuros podem propor melhorias na resposta do material para sensores de gás e dispositivos optoeletrônicos.