Filmes finos de AZO/ PET depositados por magnetron sputtering: comparação entre RF e fonte pulsada

• Autor(a) principal: Oliveira, Lucas Pires Gomes de [UNESP]
• Data de Publicação: 2019
• Tipo de documento: Dissertação
• Idioma: por
• Título da fonte: Repositório Institucional da UNESP
• Texto Completo: http://hdl.handle.net/11449/194264
• topic: AZO; PET; PMS; Caracterização; Magnetron sputtering

Atualmente, tem-se pesquisado óxidos alternativos ao ITO (óxido de índio dopado com estanho) e um potencial candidato é o óxido de zinco dopado com alumínio (AZO), pois é atóxico e deriva de fontes de materiais com baixo custo de produção. Nesse trabalho, filmes finos de AZO (~200 nm de espessura) foram depositados em polietileno tereftalato (PET) à temperatura próxima a ambiente, pela técnica de magnetron sputtering. O plasma foi ativado usando uma fonte de radiofrequência (RF) de 13,56 MHz e uma fonte pulsada de 15 kHz (PMS, do inglês, pulsed magnetron sputtering). As propriedades ópticas dos filmes foram analisadas por meio de um espectrômetro UV-Vis-NIR (190 nm a 2500 nm). Todos os filmes apontaram transmitância média superior a 80% na região visível. A resistividade elétrica dos filmes foi determinada pelo método linear de quatro pontos, alcançando valores em torno de 0,001 Ω.cm para filmes AZO de 200 nm de espessura depositados por PMS. A difratometria de raios-X (DRX) comprovou a cristalinidade dos filmes, apresentando orientação preferencial no plano (002) como o ZnO. A espectroscopia de raios-X de energia dispersiva (EDS) foi utilizada para análise da composição química dos filmes, além da composição das trincas em alguns filmes. A morfologia superficial dos filmes finos de AZO foi caracterizada por microscopia eletrônica de varredura (MEV), sendo avaliada a formação de trincas e imperfeições. Nenhuma trinca foi observada nos filmes crescidos por PMS, além de apresentarem baixos valores de resistividade elétrica, mostrando adequação para serem aplicados em células fotovoltaicas flexíveis.