Um estudo da influência de defeitos sobre a relaxação dielétrica e outras propriedades físicas relacionadas de filmes finos de BiFeO3

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Reis, Saulo Portes dos
Data de Publicação: 2020
Tipo de documento: Tese
Idioma: por
Título da fonte: Repositório Institucional da UNESP
Texto Completo: http://hdl.handle.net/11449/191924
Resumo: Este trabalho relata o impacto de defeitos nas propriedades elétricas de filmes finos de \BF, com diferentes defeitos introduzidos durante a síntese. As fases secundárias e as vacâncias de oxigênio foram os defeitos mais aparentes em comparação aos filmes monofásicos. As propriedades estruturais foram analisadas por difração de raios X, espectroscopia Raman, microscopia de piezo-resposta (PFM) e espectroscopia de fotoelétrons excitados por raios-X (XPS). As propriedades elétricas dos filmes foram estudadas em termos de relaxação dielétrica, condutividade elétrica e condutividade local através de grãos e contornos de grãos. Para fazer isso, foi feita uma descrição completa do formalismo da impedância. No processo termicamente ativado, as energias de ativação da relaxação e condução dielétrica foram muito semelhantes para os filmes com fases secundárias. Por outro lado, a energia de ativação da condução aumenta para o filme monofásico tratado em atmosfera de oxigênio. Essas energias de ativação foram atribuídas às primeira e segunda ionização de vacâncias de oxigênio. O controle de defeitos durante a síntese dos filmes mostrou-se útil para controlar a condutividade elétrica e outros parâmetros relacionados aos filmes finos de BiFeO3.
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