CMOS digital integrated circuit design faced to NBTI and other nanometric effects

• Autor(a) principal: Dal Bem, Vinícius
• Data de Publicação: 2010
• Tipo de documento: Dissertação
• Idioma: eng
• Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGS
• Texto Completo: http://hdl.handle.net/10183/37180
• topic: Microeletrônica; Cmos; Microelectronics; NBTI; CMOS; Nanotechnology; Integrated circuits; Digital design; Logic gate; Aging effects; Reliability; Yield

Esta dissertação explora os desafios agravados pela miniaturização da tecnologia na fabricação e projeto de circuitos integrados digitais. Os efeitos físicos do regime nanométrico reduzem o rendimento da produção e encurtam a vida útil dos dispositivos, restringindo a utilidade dos padrões de projeto convencionais e ameaçando a evolução da tecnologia CMOS como um todo. Nesta dissertação é exposta uma consistente revisão bibliográfica dos principais efeitos físicos parasitas presentes no regime nanométrico. Como o NBTI tem recebido destaque na literatura relacionada à confiabilidade de circuitos, este efeito de envelhecimento recebe destaque também neste texto, sendo explorado mais detalhadamente. Diversas técnicas de avaliação de redução do NBTI são demonstradas, sendo apresentados, em cada um destes tópicos, trabalhos desenvolvidos no âmbito desta dissertação e seus resultados. O circuito proposto como técnica de avaliação de NBTI permite uso de simulações elétricas para análise de degradação de circuitos. A análise da influência do rearranjo da estrutura de transistores para reduzir a degradação quanto ao NBTI apresenta bons resultados e não impede o uso de outras técnicas combinadas.