Filmes finos de SrBi2Ta2O9 processados em forno microondas

• Autor(a) principal: Vasconcelos,J. S.
• Data de Publicação: 2003
• Outros Autores: Vasconcelos,N. S. L. S., Zanetti,S. M., Gomes,J. W., Longo,E., Leite,E. R., Varela,J. A.
• Tipo de documento: Artigo
• Idioma: por
• Título da fonte: Cerâmica (São Paulo. Online)
• Texto Completo: http://old.scielo.br/scielo.php?script=sci_arttext&pid=S0366-69132003000100013
• topic: filmes finos; SBT; ferroelétrico; cristalização; microondas

Filmes finos de SrBi2Ta2O9 foram depositados em substratos de Pt/Ti/SiO2/Si e, pela primeira vez, sinterizados em forno microondas doméstico. Os padrões de difração de raios X mostraram que os filmes são policristalinos. O processamento por microondas permite utilizar baixa temperatura na síntese e obter filmes com boas propriedades elétricas. Ensaios de microscopia eletrônica de varredura (MEV) e de Força Atômica (MFA) revelam boa aderência entre filme e substrato, com microestrutura de superfície apresentando grãos finos e esféricos e rugosidade de 4,7 nm. A constante dielétrica e o fator de dissipação, para freqüência de 100 KHz, à temperatura ambiente, foram de 77 e 0,04, respectivamente. A polarização remanescente (2Pr) e o campo coercitivo (Ec) foram 1,04 miC/cm² e 33 kV/cm. O comportamento da densidade de corrente de fuga revela três mecanismos de condução: linear, ôhmico e outro mecanismo que pode ser atribuído à corrente de Schottky. Dos padrões de DRX, análises das imagens por MEV e topografia de superfície por MFA observa-se que 10 min de tratamento térmico a 550 ºC, em forno microondas, é tempo suficiente para se obter a cristalização do filme.