Filmes finos de SnO2 via processo sol-gel: influência de alguns parâmetros na deposição e da dopagem com Sb
Autor(a) principal: | |
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Data de Publicação: | 2001 |
Tipo de documento: | Dissertação |
Idioma: | por |
Título da fonte: | Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP |
Texto Completo: | http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/88/88131/tde-24082015-114637/ |
Resumo: | Dióxido de estanho (SnO2) tem sido amplamente estudado devido às suas propriedades óticas e elétricas. Neste trabalho é investigada a preparação de filmes finos de SnO2 pela técnica sol-gel, usando diferentes procedimentos para a deposição das camadas. Além disso são incorporados aos filmes diferentes concentrações de dopante Sb, de modo a constituir um semicondutor do tipo-n. São apresentados resultados de absorção, transmissão e reflexão para uma ampla faixa de comprimentos de onda (0,2 µm- 6,0 µm).Observa-se um aumento da absorção e reflexão no infravermelho com o aumento da concentração de dopantes, o que pode ser explicado pela teoria de Drude. Análises estruturais, são feitas por técnicas tais como difração de raios-X, microscopia eletrônica de varredura e reflexão especular de raios-X, confirmando a estrutura da cassiterita e a espessura prevista para os filmes. O comportamento elétrico é verificado em função da presença de ar na câmara de tratamento térmico pós-deposição. É apresentado também um modelamento simples para explicar a alta resistividade dos filmes com base no espalhamento de elétrons no contorno de grão. |
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