Preparação e caracterização de películas de nitreto de silício obtidas pela técnica PECVD: aplicações em células solares de silício multicristalino.
Autor(a) principal: | |
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Data de Publicação: | 1994 |
Tipo de documento: | Dissertação |
Idioma: | por |
Título da fonte: | Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP |
Texto Completo: | https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-30082024-145538/ |
Resumo: | Estudou-se a influência que os principais parâmetros de deposição exercem nas características finais de películas de nitreto de silício obtidas num reator tipo PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition). Os parâmetros considerados foram a temperatura do substrato durante a deposição, a concentração relativa dos gases reagentes (amônia e silana) no interior da câmara do reator e a potência de rf aplicada aos gases para gerar o plasma. Tal estudo teve duas finalidades. 1) a obtenção de uma película com características adequadas a função de camada anti-refletora em células solares de silício multicristalino para aplicação terrestre. 2) a passivação de defeitos do dispositivo, o que deve ocorrer durante a deposição da camada de nitreto de silício devido a presença de hidrogênio no plasma gerado pela decomposição da silana (\'SI\'\'H IND.4\') e da amônia (\'N\'\'H IND.3\'). A análise das películas de nitreto foi feita através de medidas de elipsometria, de espectroscopia (infravermelho, visível e parte do ultra-violeta), de espectrometria de retroespalhamento (rbs) e de difração de raios-x. O reator utilizado e os parâmetros considerados permitiram um bom controle sobre as características das películas depositadas. A camada anti-refletora obtida com as condições de plasma otimizadas mostrou-se bastante eficiente, reduzindo a reflexão a menos da metade. |
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Preparação e caracterização de películas de nitreto de silício obtidas pela técnica PECVD: aplicações em células solares de silício multicristalino.Untitled in englishPelículas de nitreto de silícioSilicon nitride filmsEstudou-se a influência que os principais parâmetros de deposição exercem nas características finais de películas de nitreto de silício obtidas num reator tipo PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition). Os parâmetros considerados foram a temperatura do substrato durante a deposição, a concentração relativa dos gases reagentes (amônia e silana) no interior da câmara do reator e a potência de rf aplicada aos gases para gerar o plasma. Tal estudo teve duas finalidades. 1) a obtenção de uma película com características adequadas a função de camada anti-refletora em células solares de silício multicristalino para aplicação terrestre. 2) a passivação de defeitos do dispositivo, o que deve ocorrer durante a deposição da camada de nitreto de silício devido a presença de hidrogênio no plasma gerado pela decomposição da silana (\'SI\'\'H IND.4\') e da amônia (\'N\'\'H IND.3\'). A análise das películas de nitreto foi feita através de medidas de elipsometria, de espectroscopia (infravermelho, visível e parte do ultra-violeta), de espectrometria de retroespalhamento (rbs) e de difração de raios-x. O reator utilizado e os parâmetros considerados permitiram um bom controle sobre as características das películas depositadas. A camada anti-refletora obtida com as condições de plasma otimizadas mostrou-se bastante eficiente, reduzindo a reflexão a menos da metade.The influence of fundamental parameters over final characteristics of silicone nitride films deposited by PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) was studied . The considered parameters were the substrate temperature during the deposition, the relative concentration of reactant gases (ammonia and silane) in the reactor chamber and the R.F. power applied on these gases to produce plasma. Such study had two objectives. The first one was to get a film with adequate characteristics to be used as an antireflective coating on multicrystalline silicon solar cells for terrestrial application. The second one was to passivate the solar cell substrate, what must occur during the silicone nitride film deposition due to the presence of the hidrogen in the plasma generated from silane (SiH4) and ammonia (NH3). The films were analized by means of ellipsometry, spectroscopy (in infrared, visible and ultravioleta regions), backscattering spectrometry (RBS) and X-ray diffraction. The PECVD reactor and the variables that were considered allowed a good controlo n the film characteristics. An efficient antireflective coating was obtained, with the superficial reflection reduced to less than a half. The passivation effect on the emitter really occurred and this seems to extend even over the bulk, as can be seen in quantum efficiency curves.Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USPPajanian, Maria Aparecida Godoy SolerSato, Eduardo Makoto1994-10-11info:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisapplication/pdfhttps://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-30082024-145538/reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USPinstname:Universidade de São Paulo (USP)instacron:USPLiberar o conteúdo para acesso público.info:eu-repo/semantics/openAccesspor2024-08-30T18:00:02Zoai:teses.usp.br:tde-30082024-145538Biblioteca Digital de Teses e Dissertaçõeshttp://www.teses.usp.br/PUBhttp://www.teses.usp.br/cgi-bin/mtd2br.plvirginia@if.usp.br|| atendimento@aguia.usp.br||virginia@if.usp.bropendoar:27212024-08-30T18:00:02Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP - Universidade de São Paulo (USP)false |
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