Estudo de difusão de alumínio em ligas amorfas de carbono-silício.
Autor(a) principal: | |
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Data de Publicação: | 2001 |
Tipo de documento: | Dissertação |
Idioma: | por |
Título da fonte: | Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP |
Texto Completo: | https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-25092024-141317/ |
Resumo: | Nesta dissertação discorremos acerca da difusão de alumínio em filmes finos de carbeto de silício amorfo (a-Si1-xCx: H) quase estequiométricos, crescidos pela técnica de deposição química a vapor assistida por plasma (PECVD) a partir da mistura gasosa silana e metano. Foram estudadas dois tipos de amostras; no primeiro a mistura dos gases não foi diluída em hidrogênio entanto que no segundo tipo este foi diluída. Os resultados da análise das propriedades ópticas, estruturais e composicionais destes filmes submetidos a tratamentos térmicos em diversas temperaturas mostram a influência do alumínio nos dois tipos de filmes promovendo a cristalização. Observa-se também que nas amostras depositadas sem diluição a temperatura de cristalização é mais baixa. Os resultados da caracterização óptica e estrutural mostram também que os mecanismos pelos quais o hidrogênio se incorpora nos dois tipos de filmes é muito diferente. |
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Estudo de difusão de alumínio em ligas amorfas de carbono-silício.Untitled in englishAlumínioAluminumFilmes finosSilícioSiliconThin filmsNesta dissertação discorremos acerca da difusão de alumínio em filmes finos de carbeto de silício amorfo (a-Si1-xCx: H) quase estequiométricos, crescidos pela técnica de deposição química a vapor assistida por plasma (PECVD) a partir da mistura gasosa silana e metano. Foram estudadas dois tipos de amostras; no primeiro a mistura dos gases não foi diluída em hidrogênio entanto que no segundo tipo este foi diluída. Os resultados da análise das propriedades ópticas, estruturais e composicionais destes filmes submetidos a tratamentos térmicos em diversas temperaturas mostram a influência do alumínio nos dois tipos de filmes promovendo a cristalização. Observa-se também que nas amostras depositadas sem diluição a temperatura de cristalização é mais baixa. Os resultados da caracterização óptica e estrutural mostram também que os mecanismos pelos quais o hidrogênio se incorpora nos dois tipos de filmes é muito diferente.In this work we report aluminum diffusion on near estoichiometric silicon carbide thin films (a-Si1-xCx: H) deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) from silane and methane gaseous mixtures as precursor gases. Two types of samples were studied: one of them was grown with precursor gases diluited in hydrogen and in the other type the gaseous mixtures were not diluited. Results from optical, structural and compositional characterization of these films after thermal anneling at various temperatures show that aluminum influences on both type of samples promoting cristalization, even though it was observed that the cristalization temperature was lower for samples obtained without diluition. The results from optical and structural characterization also show that hydrogen incorporation mechanism in both types of samples is very different.Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USPPereyra, InêsSalazar, Robinson Oliva2001-07-25info:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisapplication/pdfhttps://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-25092024-141317/reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USPinstname:Universidade de São Paulo (USP)instacron:USPLiberar o conteúdo para acesso público.info:eu-repo/semantics/openAccesspor2024-09-25T17:19:02Zoai:teses.usp.br:tde-25092024-141317Biblioteca Digital de Teses e Dissertaçõeshttp://www.teses.usp.br/PUBhttp://www.teses.usp.br/cgi-bin/mtd2br.plvirginia@if.usp.br|| atendimento@aguia.usp.br||virginia@if.usp.bropendoar:27212024-09-25T17:19:02Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP - Universidade de São Paulo (USP)false |
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