Deposição e caracterização de filmes de \'SI\'\'O IND.2\' crescidos pela técnica de pecvd a baixa temperatura

• Autor(a) principal: Alayo Chávez, Marco Isaías
• Data de Publicação: 1996
• Tipo de documento: Dissertação
• Idioma: por
• Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP
• Texto Completo: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-17052022-090901/
• topic: Dióxido de silício; Estruturas MOS; Microelectronics; Microeletrônica; MOS structures; Plasma CVD; Plasma enhanced chemical vapor deposition; Silicon dioxide

Reportamos os resultados da deposição e caracterização de películas de dióxido de silício obtidas pela técnica de deposição química a vapor assistida por plasma direto (DPECVD) a baixas temperaturas (< 400 \'GRAUS\'c). As películas foram crescidas pela decomposição apropriada de silano e óxido nitroso, variando essencialmente cinco parâmetros de deposição e suas propriedades ópticas e estruturais foram analisadas através da espectroscopia de absorção infravermelha e elipsometria. Para analisar também as propriedades de interface e obter a resistividade e constante dielétrica do material, foram fabricados capacitores MOS usando as películas depositadas por DPECVD como camada isolante, e suas curvasI-V e C-V para alta e baixa frequência foram medidas. Os resultados demonstram a viabilidade de obter películas finas de dióxido de silício por DPECVD sem traços (dentro dos limites de detecção da análise de FTIR) de ligações \'SI\'o h, \'SI\'n h ou \'SI\'h, desde que adequadas condições de deposição sejam utilizadas. Em particular, mostramos que a técnica de `PECVD combinada com baixos fluxos de silano, baixa pressao de deposicao e alta densidade de potencia de RF e tão efetiva como as técnicas de alta diluição com hélio ou plasma remoto CVD em promover o crescimento de películas altamente estequiométricas, estruturalmente similares ao dióxido de silício crescido termicamente.