Caracterização de filmes finos de nitreto de carbono produzidos por RF magnetron sputtering reativo
Autor(a) principal: | |
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Data de Publicação: | 2002 |
Tipo de documento: | Dissertação |
Idioma: | por |
Título da fonte: | Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP |
Texto Completo: | https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-31052021-154034/ |
Resumo: | Os filmes finos de nitreto de carbono (\'CN IND.X\') foram produzidos, usando-se o método de RF magnetron sputtering reativo, sobre substratos de Si(100) mantidos à temperatura de 90\'GRAUS\'C. Os parâmetros de deposição foram o fluxo relativo do gás \'N IND.2\' em relação ao gás Ar de 50, 60, 70, 80, 90 e 100% e a pressão de trabalho na câmara de sputtering de 0,4, 1,3 e 2,0 Pa. A variação da taxa de deposição em função do fluxo do gás \'N IND.2\' ou da pressão de trabalho pode ser explicada considerando-se que a eficiência da formação de filme de nitreto de carbono por íon de nitrogênio é maior que aquela por íon de \'Ar POT.+\'. A variação da tensão DC de polarização do plasma causou a variação da taxa de deposição, afetando o fluxo e a energia de íons incidentes no alvo de grafite. A espectroscopia de fotoelétrons induzidos por raios-X (XPS) e a espectroscopia do infravermelho por transformada de Fourier (FTIR) foram usadas, respectivamente, para estudar os estados de ligação química de C, N e O, e a composição de cada filme, e para avaliar os estados de vibração molecular nos filmes. O estudo sobre as análises de deconvolução dos espectros de XPS e FTIR indicou a presença de dois estados para as ligações de C-C e C-N nos espectros de XPS de C 1s, quatro estados de XPS de N 1s e um pico associado à ligação de C=N nos espectros de FTIR; houve certas correlações entre eles. Os valores da dureza Knoop obtidos dos filmes foram superiores aos valores relatados na literatura; sua maxima ocorreu quando a razão de composição N/C foi máxima (N/C = 0,37, n fluxo relativo do gás \'N IND.2\' de 80% e na pressão de trabalh de o,4 Pa), em que a fração de ligação de C=N em relação a todas as ligações entre C e N, também, é maxima. |
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Caracterização de filmes finos de nitreto de carbono produzidos por RF magnetron sputtering reativoCharacterization of thin carbon nitride films produced by RF magnetron reactive sputteringESPECTROSCOPIA DE RAIO XESPECTROSCOPIA INFRAVERMELHAFILMES FINOSFINE FILMSINFRARED SPECTROSCOPYX-RAY SPECTROSCOPYOs filmes finos de nitreto de carbono (\'CN IND.X\') foram produzidos, usando-se o método de RF magnetron sputtering reativo, sobre substratos de Si(100) mantidos à temperatura de 90\'GRAUS\'C. Os parâmetros de deposição foram o fluxo relativo do gás \'N IND.2\' em relação ao gás Ar de 50, 60, 70, 80, 90 e 100% e a pressão de trabalho na câmara de sputtering de 0,4, 1,3 e 2,0 Pa. A variação da taxa de deposição em função do fluxo do gás \'N IND.2\' ou da pressão de trabalho pode ser explicada considerando-se que a eficiência da formação de filme de nitreto de carbono por íon de nitrogênio é maior que aquela por íon de \'Ar POT.+\'. A variação da tensão DC de polarização do plasma causou a variação da taxa de deposição, afetando o fluxo e a energia de íons incidentes no alvo de grafite. A espectroscopia de fotoelétrons induzidos por raios-X (XPS) e a espectroscopia do infravermelho por transformada de Fourier (FTIR) foram usadas, respectivamente, para estudar os estados de ligação química de C, N e O, e a composição de cada filme, e para avaliar os estados de vibração molecular nos filmes. O estudo sobre as análises de deconvolução dos espectros de XPS e FTIR indicou a presença de dois estados para as ligações de C-C e C-N nos espectros de XPS de C 1s, quatro estados de XPS de N 1s e um pico associado à ligação de C=N nos espectros de FTIR; houve certas correlações entre eles. Os valores da dureza Knoop obtidos dos filmes foram superiores aos valores relatados na literatura; sua maxima ocorreu quando a razão de composição N/C foi máxima (N/C = 0,37, n fluxo relativo do gás \'N IND.2\' de 80% e na pressão de trabalh de o,4 Pa), em que a fração de ligação de C=N em relação a todas as ligações entre C e N, também, é maxima.Characterization of thin carbon nitride films produced by RF magnetron reactive sputteringBiblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USPMatsuoka, MasaoPinto, Ricardo Alexander Castro2002-10-18info:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisapplication/pdfhttps://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-31052021-154034/reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USPinstname:Universidade de São Paulo (USP)instacron:USPLiberar o conteúdo para acesso público.info:eu-repo/semantics/openAccesspor2021-06-04T01:13:02Zoai:teses.usp.br:tde-31052021-154034Biblioteca Digital de Teses e Dissertaçõeshttp://www.teses.usp.br/PUBhttp://www.teses.usp.br/cgi-bin/mtd2br.plvirginia@if.usp.br|| atendimento@aguia.usp.br||virginia@if.usp.bropendoar:27212021-06-04T01:13:02Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP - Universidade de São Paulo (USP)false |
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