Propriedades eletrônicas de hetero-estruturas de semicondutores zincblende.

• Autor(a) principal: Chitta, Valmir Antonio
• Data de Publicação: 1987
• Tipo de documento: Dissertação
• Idioma: por
• Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP
• Texto Completo: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/54/54131/tde-22052009-131752/
• topic: Electronic structure; Estrutura eletrônica; Heteroestruturas semicondutoras; II-IV semiconductors.; k.p Method; Magneto-óptica; Magneto-optics; Método k.p; Semiconductor heterostructures; Semicondutores II-IV

Utilizou-se um Hamiltoniano KP (6x6) do tipo Kane para, se estudar a estrutura de bandas e níveis de Landau para heteroestruturas de semicondutores zincblende dos grupos III-V e II-VI. Os efeitos do acoplamento entre as bandas de condução e valência, da mistura dos estados da banda de valência, da não-parabolicidade dos níveis, da total degenerescência dos níveis, do warping e das descontinuidades das massas efetivas nas heterointerfaces são levados em conta. Mostrou-se que a interação entre as bandas de condução e valência não pode ser desprezada, mesmo para semicondutores de gap largo, como citado em trabalhos existentes na literatura. Para um estudo sistemático do modelo, utilizou-se um poço quântico de GaAs Ga(Al)As e então aplicou-se o modelo a um sistema de semicondutores semi-magnéticos (poço quântico de CdTe Cd(Mn)Te).