Estudo de técnicas de microscopia para caracterização estrutural de heteroestruturas semicondutoras

• Autor(a) principal: Rodrigues, Sergio Gasques
• Data de Publicação: 1997
• Tipo de documento: Dissertação
• Idioma: por
• Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP
• Texto Completo: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/88/88131/tde-22082015-113608/
• topic: Microscopia; microscopy; Semiconductor; Semicondutores

Este trabalho tem como objetivo principal, o estudo de técnicas de microscopia para a caracterização estrutural de semicondutores, visando o desenvolvimento das técnicas de preparação de amostras, visto que a caracterização estrutural é de suma importância para a obtenção de melhores resultados no processo de produção de filmes de semicondutores do grupo III-V. Dentre as técnicas mais utilizadas na caracterização estrutural, destacam-se as técnicas de microscopia eletrônica de varredura e de transmissão, juntamente com a microscopia de força atômica. Foram utilizadas amostras semicondutoras de InGaAs/GaAs e InAs/GaAs, crescidas pela técnica de MBE (epitaxia por feixe molecular), contendo pontos quânticos, estruturas estas ricas em detalhes. Tais amostras foram preparadas e caracterizadas em cada uma das técnicas em estudo. A microscopia de varredura e de força atômica apresentam fácil preparação. Os resultados obtidos, porém mostram que a técnica de microscopia eletrônica de varredura não oferece resolução suficiente para visualização das heteroestruturas; já a técnica de microscopia de força atômica mostra resultados excelentes da topografia dos pontos quânticos. Para a microscopia de transmissão a preparação de amostras mostra-se muito difícil e demorada, entretanto, o resultado obtido foi muito satisfatório. O processo de preparação passa por etapas de clivagem, \"dimpling\" e \"ion milling\". As imagens obtidas revelam com clareza a estrutura de pontos quântico. Com o estudo realizado, foi possível determinar as principais características de cada técnica, assim como determinar uma metodologia que pode vir a ser aplicada a outros tipos de heteroestruturas semicondutoras