Deposição química a vapor de óxido de silício assistida por plasma de alta densidade acoplado indutivamente (ICP-CVD).

• Autor(a) principal: Torres, Ani Sobral
• Data de Publicação: 2002
• Tipo de documento: Dissertação
• Idioma: por
• Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP
• Texto Completo: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01102024-111629/
• topic: Plasma (Microelectronics); Plasma (Microeletrônica); Silício; Silicon

Neste trabalho foram depositados filmes de óxido de silício por deposição química a vapor assistida por plasma de alta densidade acoplado indutivamente (ICP-CVD). Através dessa técnica, pode-se obter filmes de óxido de silício a baixa temperatura (25°C) e com altas taxas de deposição (> 10 nm/min), com satisfatórias características físicas, químicas e elétricas se comparadas as dos filmes obtidos por outras técnicas de deposição (PECVD, LPCVD, etc). Objetiva-se, assim, a utilização destes filmes para aplicações como camada de interconexão e em pós-processamento. Foram utilizados os gases silana e diclorosilana como fonte de silício associados ao óxido nitroso. Os parâmetros de processo variados foram composição gasosa, variando a relação N2O/SiH4 ou N2O/SiH2Cl2 e a potência de RF aplicada na geração do plasma. Nos filmes depositados com o uso da silana, foram obtidas taxas de deposição da ordem de 12 nm/min, maiores que as taxas de deposição dos filmes obtidos com diclorosilana (em torno de 2 nm/min) Foram realizados recozimentos térmicos 430°C, 600°C e 850°C e constatou-se a diminuição da contaminação por hidrogênio (através da técnica de infravermelho) com o recozimento térmico e a formação de cristalitos de silício constatados com o uso da técnica de difração de raios X. Os filmes obtidos com o uso da silana em proporção gasosa igual a 3 e com altas potências de RF (>100 W) apresentaram melhores características elétricas, apropriadas para aplicações como material de interconexão de circuitos integrados.