Modulador óptico de intensidade baseado na tecnologia de circuitos integrados monolíticos de microondas

• Autor(a) principal: Silva, Milson Tadeu Camargo
• Data de Publicação: 1992
• Tipo de documento: Tese
• Idioma: por
• Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP
• Texto Completo: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/54/54132/tde-19022015-174552/
• topic: Não disponível; Not available

Um modulador óptico de intensidade baseado na tecnologia de circuitos integrados monolíticos de microondas foi investigado. A estrutura do dispositivo é composta de um guia de onda de quatro camadas. O campo elétrico das microondas depleta os portadores na casca ativa e isto resulta na geração de uma variação periódica do índice de refração, isto é, uma rede de difração, devido aos efeitos eletro-óptico e dopagem. A interação do campo óptico com a estrutura periódica resulta na modulação da intensidade da luz. O projeto especial do guia de onda óptico proporciona alto fator de confinamento na casca ativa resultando também em alto coeficiente de acoplamento, situado entre 8 e 17 cm-1. A concentração de portadores e espessura da casca ativa está compreendida entre 2x1017 e 1018 cm-3 e 0.23 e 0.065 &#956m, respectivamente. O comprimento do dispositivo situa-se entre 500 e 2200 &#956m para índices de modulação superiores a 50%. Larguras de banda tão amplas quanto 24GHz para 50% e 12 GHz para 90% de índice de modulação foram obtidas. A atenuação óptica média devido à absorção dos materiais é &#8764 0.25 dB. A voltagem aplicada está situada entre 3.0 e 7.0V. Devido à característica capacitiva do dispositivo, não há praticamente drenagem de corrente, resultando em muito baixo consumo de potência