Propriedades eletrônicas de um sistema clássico bidimensional

• Autor(a) principal: Studart Filho, Nelson
• Data de Publicação: 1979
• Tipo de documento: Tese
• Idioma: por
• Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP
• Texto Completo: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/54/54131/tde-10032015-165655/
• topic: Não disponível; Not available

As propriedades estáticas e dinâmicas de um sistema de elétrons clássico bidimensional foram estudadas com base no método do campo autoconsistente (SCFA), desenvolvido por Singwi et.al. Nesta teoria, as correlações de curto alcance estão presentes através de uma correção de campo local que depende da função correlação dos pares. O fator de estrutura estático e a função resposta densidade-densidade são determinadas em um esquema autoconsistente. A função correlação dos pares e a energia de correlação obtidas concordam muito bem com os dados experimentais de simulação numérica determinados pelo método de Monte Carlo. A blindagem estática de uma impureza carregada. a relação de dispersão do plasma e o fator de estrutura dinâmico são de terminados e os resultados comparados com os obtidos na aproximação das fases aleatórias (RPA). Diferenças significativas foram encontradas indicando a importância dos efeitos de correlações entre partículas. Pela primeira vez, as correlações de curto alcance foram incorporadas na dispersão do plasma deste sistema. O método foi estendido para o sistema quase-bidimensional. Isto é, elétrons na superfície de hélio, incluindo o efeito da espessura finita da camada eletrônica. Nossos resultados da função correlação dos pares e energia de correlação para os sistemas quase e estritamente bidimensional diferem muito pouco entre si. Devido à relação entre a distância média dos elétrons e a espessura da camada. Apesar disso, nosso resultado para a dispersão do plasmon apresenta um avanço considerável relativo aos cálculos de Beck e Kumar. Calculamos a condutividade como função da freqüência e da densidade devido ao espalhamento elétron-riplon, para elétrons na superfície de hélio. Este cálculo foi efetuado com base no formalismo de função memória, desenvolvido por Gotze e Wolfle, e no método autoconsistente. Nossos resultados reafirmam a importância dos efeitos de correlações na mobilidade dos elétrons