Construção e caracterização de diodos \'n POT. +\'p com contatos Al/Ni/Ti\'Si IND. 2\'.

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Reis, Ronaldo Willian
Data de Publicação: 2001
Tipo de documento: Dissertação
Idioma: por
Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP
Texto Completo: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28082024-092302/
Resumo: Neste trabalho foram construídos contatos Al/Ni/Ti\'Si IND. 2\' sobre junções rasas \'n POT. +\'p com 0,5 \'MICROMETROS\' de profundidade. O desempenho elétrico final obtido foi considerado excelente com corrente reversa de aproximadamente 15 nA/cm2 e a resistência de contato de 7,3.\'10 POT. -8\' \'OHM\'cm2 (áreas de (200 x 200) \'MICROMETROS\'). O processo térmico (T = 900 \'GRAUS\'C e t = 75 min) para obtenção das junções \'n POT. +\'p com profundidade de 0,5 \'MICROMETROS\' foi simulado com o programa SUPREM III. Para fabricar contatos Al/Ni/Ti\'Si IND. 2\' de boa qualidade, foram feitas caracterizações prévias dos filmes Ti\'Si IND. 2\' formados em duas etapas (700\'GRAUS\'C e 900\'GRAUS\'C) em ambiente de nitrogênio. De forma geral, os filmes de Ti\'Si IND. 2\'-C54 resultaram com baixas rugosidades (RRMS \'APROXIMADAMENTE\' 12 nm) e baixos valores de resistividade (p \'APROXIMADAMENTE\' 15 \'MICROM\'\'OHM\'cm). Por outro lado, filmes de Ni foram depositados por processo eletroquímico espontâneo sobre filmes Ti\'Si IND. 2\'-C54 previamente ativados em solução de paládio (\'H IND. 2\'O/HF/Pd\'Cl IND. 2\'). Os filmes de níquel depositados sobre Ti\'Si IND. 2\'-C54 apresentaram um pequeno aumento da rugosidade superficial (RRMS \'APROXIMADAMENTE\' 15 nm) em comparação com a superfície do siliceto de titânio (RRMS \'APROXIMADAMENTE\' 12 nm). Tal fato foi explicado como devido principalmente ao processo de pré-ativação que cria sítios sobre o siliceto antes da deposição do níquel. Os filmes de níquel obtidos resultaram do tipo Ni(P) com concentração de fósforo de aproximadamente 5% e resistência de folha de \'APROXIMADAMENTE\' 0,5 \'OHM\'\'POR QUADRADO\' para espessuras de 300 nm (p \'APROXIMADAMENTE\' 15 \'MICROM\'\'OHM\'cm).
id USP_bfa74c475e14517befe687632a056e32
oai_identifier_str oai:teses.usp.br:tde-28082024-092302
network_acronym_str USP
network_name_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP
repository_id_str 2721
spelling Construção e caracterização de diodos \'n POT. +\'p com contatos Al/Ni/Ti\'Si IND. 2\'.Untitled in englishDiodesDiodosNeste trabalho foram construídos contatos Al/Ni/Ti\'Si IND. 2\' sobre junções rasas \'n POT. +\'p com 0,5 \'MICROMETROS\' de profundidade. O desempenho elétrico final obtido foi considerado excelente com corrente reversa de aproximadamente 15 nA/cm2 e a resistência de contato de 7,3.\'10 POT. -8\' \'OHM\'cm2 (áreas de (200 x 200) \'MICROMETROS\'). O processo térmico (T = 900 \'GRAUS\'C e t = 75 min) para obtenção das junções \'n POT. +\'p com profundidade de 0,5 \'MICROMETROS\' foi simulado com o programa SUPREM III. Para fabricar contatos Al/Ni/Ti\'Si IND. 2\' de boa qualidade, foram feitas caracterizações prévias dos filmes Ti\'Si IND. 2\' formados em duas etapas (700\'GRAUS\'C e 900\'GRAUS\'C) em ambiente de nitrogênio. De forma geral, os filmes de Ti\'Si IND. 2\'-C54 resultaram com baixas rugosidades (RRMS \'APROXIMADAMENTE\' 12 nm) e baixos valores de resistividade (p \'APROXIMADAMENTE\' 15 \'MICROM\'\'OHM\'cm). Por outro lado, filmes de Ni foram depositados por processo eletroquímico espontâneo sobre filmes Ti\'Si IND. 2\'-C54 previamente ativados em solução de paládio (\'H IND. 2\'O/HF/Pd\'Cl IND. 2\'). Os filmes de níquel depositados sobre Ti\'Si IND. 2\'-C54 apresentaram um pequeno aumento da rugosidade superficial (RRMS \'APROXIMADAMENTE\' 15 nm) em comparação com a superfície do siliceto de titânio (RRMS \'APROXIMADAMENTE\' 12 nm). Tal fato foi explicado como devido principalmente ao processo de pré-ativação que cria sítios sobre o siliceto antes da deposição do níquel. Os filmes de níquel obtidos resultaram do tipo Ni(P) com concentração de fósforo de aproximadamente 5% e resistência de folha de \'APROXIMADAMENTE\' 0,5 \'OHM\'\'POR QUADRADO\' para espessuras de 300 nm (p \'APROXIMADAMENTE\' 15 \'MICROM\'\'OHM\'cm).In this work, it was made Al/Ni/Ti´Si IND. 2´ contacts on ´n POT. +´p shallow junctions with depth of 0,5 ´MICROMETROS´. The final electrical performance was considered excellent for a reverse current of approximately 15nA/cm2 and contact resistance 7,3.´10 POT.-8´ ´OHM´cm2 (areas of (200 x 200) ´MICROMETROS´2). The thermal budget (T = 900´DEGREE´C, t = 75 min.) to obtain 0,5 ´MICROMETROS´-depth ´n POT.+´p junctions was simulated with the aid of the SUPREM III program. To fabricate good quality Al/Ni/Ti´Si IND.2´ contacts, previous characterizations of the Ti´Si IND.2´ films grown (a two step process at 700´DEGREE´C and 900´DEGREE´C, respectively) in nitrogen. The obtained Ti´Si IND.2´-C54 films presented low RMS roughness (RRMS ´APPROXIMATELY´ 12 nm) and low resistivity (p ´APPROXIMATELY´ 15 ´MICROM´´OHM´cm). On the other hand, the electroless plating technique was used to deposit Ni (P) films onto Ti´Si IND.2´-C54 surfaces previously activated a low increase of the surface RMS roughness (RRMS ´APPROXIMATELY´ 15 nm) compared to the surface RMS roughness of the silicide (RRMS ´APPROXIMATELY´ 12 nm). This was correlated to the pre-activation step which creates Pd sites onto the silicide before Ni (P) deposition. The Ni(P) films presented phosphorus concentration of approximately 5 % and sheet resistance of 0,5 ´OHM´´FOR SQUARE´ for a thickness of 300 nm (p ´APPROXIMATELY´ 15 ´MICROM´´OHM´cm),Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USPSantos Filho, Sebastião Gomes dosReis, Ronaldo Willian2001-04-17info:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisapplication/pdfhttps://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28082024-092302/reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USPinstname:Universidade de São Paulo (USP)instacron:USPLiberar o conteúdo para acesso público.info:eu-repo/semantics/openAccesspor2024-08-28T12:28:02Zoai:teses.usp.br:tde-28082024-092302Biblioteca Digital de Teses e Dissertaçõeshttp://www.teses.usp.br/PUBhttp://www.teses.usp.br/cgi-bin/mtd2br.plvirginia@if.usp.br|| atendimento@aguia.usp.br||virginia@if.usp.bropendoar:27212024-08-28T12:28:02Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP - Universidade de São Paulo (USP)false
dc.title.none.fl_str_mv Construção e caracterização de diodos \'n POT. +\'p com contatos Al/Ni/Ti\'Si IND. 2\'.
Untitled in english
title Construção e caracterização de diodos \'n POT. +\'p com contatos Al/Ni/Ti\'Si IND. 2\'.
spellingShingle Construção e caracterização de diodos \'n POT. +\'p com contatos Al/Ni/Ti\'Si IND. 2\'.
Reis, Ronaldo Willian
Diodes
Diodos
title_short Construção e caracterização de diodos \'n POT. +\'p com contatos Al/Ni/Ti\'Si IND. 2\'.
title_full Construção e caracterização de diodos \'n POT. +\'p com contatos Al/Ni/Ti\'Si IND. 2\'.
title_fullStr Construção e caracterização de diodos \'n POT. +\'p com contatos Al/Ni/Ti\'Si IND. 2\'.
title_full_unstemmed Construção e caracterização de diodos \'n POT. +\'p com contatos Al/Ni/Ti\'Si IND. 2\'.
title_sort Construção e caracterização de diodos \'n POT. +\'p com contatos Al/Ni/Ti\'Si IND. 2\'.
author Reis, Ronaldo Willian
author_facet Reis, Ronaldo Willian
author_role author
dc.contributor.none.fl_str_mv Santos Filho, Sebastião Gomes dos
dc.contributor.author.fl_str_mv Reis, Ronaldo Willian
dc.subject.por.fl_str_mv Diodes
Diodos
topic Diodes
Diodos
description Neste trabalho foram construídos contatos Al/Ni/Ti\'Si IND. 2\' sobre junções rasas \'n POT. +\'p com 0,5 \'MICROMETROS\' de profundidade. O desempenho elétrico final obtido foi considerado excelente com corrente reversa de aproximadamente 15 nA/cm2 e a resistência de contato de 7,3.\'10 POT. -8\' \'OHM\'cm2 (áreas de (200 x 200) \'MICROMETROS\'). O processo térmico (T = 900 \'GRAUS\'C e t = 75 min) para obtenção das junções \'n POT. +\'p com profundidade de 0,5 \'MICROMETROS\' foi simulado com o programa SUPREM III. Para fabricar contatos Al/Ni/Ti\'Si IND. 2\' de boa qualidade, foram feitas caracterizações prévias dos filmes Ti\'Si IND. 2\' formados em duas etapas (700\'GRAUS\'C e 900\'GRAUS\'C) em ambiente de nitrogênio. De forma geral, os filmes de Ti\'Si IND. 2\'-C54 resultaram com baixas rugosidades (RRMS \'APROXIMADAMENTE\' 12 nm) e baixos valores de resistividade (p \'APROXIMADAMENTE\' 15 \'MICROM\'\'OHM\'cm). Por outro lado, filmes de Ni foram depositados por processo eletroquímico espontâneo sobre filmes Ti\'Si IND. 2\'-C54 previamente ativados em solução de paládio (\'H IND. 2\'O/HF/Pd\'Cl IND. 2\'). Os filmes de níquel depositados sobre Ti\'Si IND. 2\'-C54 apresentaram um pequeno aumento da rugosidade superficial (RRMS \'APROXIMADAMENTE\' 15 nm) em comparação com a superfície do siliceto de titânio (RRMS \'APROXIMADAMENTE\' 12 nm). Tal fato foi explicado como devido principalmente ao processo de pré-ativação que cria sítios sobre o siliceto antes da deposição do níquel. Os filmes de níquel obtidos resultaram do tipo Ni(P) com concentração de fósforo de aproximadamente 5% e resistência de folha de \'APROXIMADAMENTE\' 0,5 \'OHM\'\'POR QUADRADO\' para espessuras de 300 nm (p \'APROXIMADAMENTE\' 15 \'MICROM\'\'OHM\'cm).
publishDate 2001
dc.date.none.fl_str_mv 2001-04-17
dc.type.status.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/masterThesis
format masterThesis
status_str publishedVersion
dc.identifier.uri.fl_str_mv https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28082024-092302/
url https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28082024-092302/
dc.language.iso.fl_str_mv por
language por
dc.relation.none.fl_str_mv
dc.rights.driver.fl_str_mv Liberar o conteúdo para acesso público.
info:eu-repo/semantics/openAccess
rights_invalid_str_mv Liberar o conteúdo para acesso público.
eu_rights_str_mv openAccess
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
dc.coverage.none.fl_str_mv
dc.publisher.none.fl_str_mv Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
publisher.none.fl_str_mv Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
dc.source.none.fl_str_mv
reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP
instname:Universidade de São Paulo (USP)
instacron:USP
instname_str Universidade de São Paulo (USP)
instacron_str USP
institution USP
reponame_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP
collection Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP
repository.name.fl_str_mv Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP - Universidade de São Paulo (USP)
repository.mail.fl_str_mv virginia@if.usp.br|| atendimento@aguia.usp.br||virginia@if.usp.br
_version_ 1815257440498745344