Construção do dispositivo de onda acústica superficial (saw) e sua caracterização através da técnica do laser probe

• Autor(a) principal: Oliveira, Peter William
• Data de Publicação: 1990
• Tipo de documento: Dissertação
• Idioma: por
• Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP
• Texto Completo: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/54/54132/tde-13122013-153818/
• topic: Dispositivo SAW; Preparação e propriedades; Preparation and properties; SAW device

Neste trabalho apresentaremos os procedimentos para a confecção de substratos de LiNbO3 para dispositivos OAS (Ondas Acústicas Superficiais). Assim como a construção de linhas de atraso, caracterização elétrica e pelo método de \"Laser Probe\". No procedimento experimental, inicialmente descreveremos os métodos e cuidados para a preparação dos substratos do monocristal de LiNbO3 produzido nos laboratórios do Grupo de Crescimento de Cristais do DFCM - IFQSC - USP. Para serem utilizados em linhas de atraso com freqüência central de operação de 70 MHz. Na segunda etapa, descreveremos a construção dos transdutores, o encapsulamento e a caracterização elétrica das linhas de atraso. A caracterização elétrica consta das medidas de impedância das portas de entrada e saída, e da medida de transmissão em um espectro de freqüência do dispositivo OAS. Finalmente, para a caracterização dos substratos confeccionados e util1zados nas linhas de atraso, construímos um sistema óptico, \"Laser Probe, que nos permite medir a velocidade e determinar o campo da onda acústica superficial sobre esses substratos. Apresentamos através do conhecimento do campo acústico, o espalhamento, o desvio de feixe acústico com relação ao alinhamento dos transdutores e as frentes de ondas superficiais em regiões do substrato. Resultados das medidas de perda intrínseca (6 dB) por linha de atraso e o espectro de transmissão dos dispositivos OAS foram apresentados. Sendo a última medida apresentada em comparação com a medida de transmissão da caracterização elétrica