ESTRUTURA ELETRONICA DE IMPUREZAS RELACIONADAS COM COBRE EM GERMANIO

• Autor(a) principal: Muñoz, Walter Manuel Orellana
• Data de Publicação: 1992
• Tipo de documento: Dissertação
• Idioma: por
• Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP
• Texto Completo: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-15032017-135018/
• topic: condensed matter physics; Física Da Matéria condensada; Semiconductors; Semicondutores

Neste trabalho apresentamos estudos sobre a estrutura eletronica de impurezas isoladas e complexas em germanio as quais sao responsaveis pela introducao de niveis de energia profundos na banda proibida do semicondutor. O modelo utilizado e o do aglomerado molecular, dentro do formalismo autoconsistente do metodo do espalhamento multiplo-\'X IND.ALFA\' com o tratamento dos orbitais de superficie atraves da esfera de watson. Efeitos de polarizacao de spin e de relaxacao eletronica sao incluidos. Aplicamos o metodo para analisar impurezas isoladas de cobre substitucional (\'GE:\'cu ind.S\'); COBRE INTERSTICIAL (\'ge\':\'cu ind.I\') E DE LITIO INTERSTICIAL (\'ge\':\'li ind.I\') E AS IMPUREZAS COMPLEXAS DE COBRE SUBSTITUCIONAL - COBRE INTERSTICIAL (\'ge\':\'cu ind.I\'\'cu ind.S\') E COBRE SUBSTITUCIONAL - LITIO (\'ge\':\'li ind.I\'\'cu ind.S\'). Nossos resultados sao comparados com dados experimentais existentes na literatura