Estudo, caracterização elétrica e modelagem de transistores BE (Back Enhanced) SOI MOSFET.

• Autor(a) principal: Yojo, Leonardo Shimizu
• Data de Publicação: 2018
• Tipo de documento: Dissertação
• Idioma: por
• Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP
• Texto Completo: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04052018-150633/
• topic: BE SOI MOSFET; Microeletrônica; Reconfigurable transistors; SOI technology; Transistores

Este trabalho tem como objetivo o estudo, caracterização elétrica e modelagem do novo transistor desenvolvido e fabricado no Laboratório de Sistemas Integráveis (LSI) da Universidade de São Paulo (USP) chamado BE (Back Enhanced) SOI MOSFET. Trata-se de um dispositivo inovador que se destaca principalmente pela sua facilidade de fabricação (exigindo apenas processos bem conhecidos e nenhuma etapa de dopagem do semicondutor) e sua flexibilidade quanto ao modo de operação (pode atuar como um transistor MOS tipo n ou um transistor MOS tipo p, dependendo somente da polarização de substrato). Aplicando-se tensão no substrato (VGB) é possível formar um canal de elétrons (VGB>0) ou lacunas (VGB<0) na segunda interface da camada de silício, por onde a corrente entre fonte e dreno flui. Sua patente foi requerida junto ao INPI (Instituto Nacional da Propriedade Industrial) sob o número BR 10 2015 020974 6. Foram realizadas medidas elétricas e simulações numéricas para melhor compreender seu princípio de funcionamento e as características que tornam possível sua reconfigurabilidade. Duas fabricações distintas deste tipo de dispositivo foram analisadas. Além das espessuras distintas, a principal diferença entre elas é o metal utilizado nos eletrodos de fonte e dreno, sendo alumínio na primeira e níquel na segunda versão. O alumínio utilizado na primeira versão resultou em contatos Ôhmicos após o processamento térmico das lâminas, que favoreceram o funcionamento do dispositivo como transistor tipo p, devido à natureza do material utilizado. A análise em função da temperatura (de 25ºC até 125ºC) mostrou uma variação da tensão de limiar (até 1,52mV/ºC) e uma degradação da mobilidade dos portadores de carga (analisado através da transcondutância), resultando no surgimento de um ponto invariante com a temperatura, o chamado ZTC (Zero Temperature Coefficient). Já a segunda versão possui contatos Schottky, na qual foram obtidos níveis de corrente apreciáveis tanto para transistores tipo n (na ordem de nA para as condições de polarização utilizadas), quanto para transistores tipo p (na ordem de ?A). O comportamento da curva de corrente de dreno deste dispositivo apresentou uma estabilização a partir de determinado valor de tensão de porta. A partir deste ponto o BE SOI MOSFET deixa de atuar como um transistor convencional e passa a ter sua corrente de dreno proporcional a tensão de substrato. Medidas em função da temperatura nesta segunda versão permitiram comparar os resultados com os da primeira versão. Percebeu-se a ausência do ponto de ZTC, uma vez que foi observado o aumento da corrente devido à diminuição da resistência dos contatos de fonte e dreno para temperaturas mais elevadas. Por fim, a operação de um circuito inversor utilizando o BE SOI MOSFET foi implementada, mesmo quando alternando os tipos dos transistores, comprovando a flexibilidade de funcionamento dos transistores ao mudar seu tipo em função da polarização de substrato.