Tecnologias em sistemas de circuitos integrados

• Autor(a) principal: Silva, Matheus Vidoti da
• Data de Publicação: 2018
• Tipo de documento: Trabalho de conclusão de curso
• Idioma: por
• Título da fonte: Repositório Institucional da UTFPR (da Universidade Tecnológica Federal do Paraná (RIUT))
• Texto Completo: http://repositorio.utfpr.edu.br/jspui/handle/1/6052
• topic: CNPQ::ENGENHARIAS::ENGENHARIA ELETRICA::MATERIAIS ELETRICOS; Semicondutores complementares de óxido metálico; Circuitos integrados; Transistores; Semicondutores; Metal oxide semiconductors, Complementary; Integrated circuits; Transistors; Semiconductors

O crescente mercado de semicondutores faz com que cada vez mais pesquisas sejam direcionadas a esta área que tem como principal tecnologia a CMOS (Complementary metal-oxide-semiconductor, semicondutor de metal-óxido complementar). Este trabalho é uma revisão bibliográfica baseada principalmente nas bases de dados IEEE e Science Direct. A Lei de Moore é apresentada e seu fim é questionado. São discutidas as consequências que limitam a redução do tamanho do transistor CMOS, e que o limite seja de aproximadamente 20 nm para o comprimento do canal. Por fim são apresentadas tecnologias como o CNTFET (Carbon nanotube field-effect transistor, transistor de efeito de campo de nanotubo de carbono) e o SpinFET (Spin field-effect transistor, transistor de efeito de campo de spin), que tem um potencial para substituírem a tecnologia CMOS.