Estudo de comutação resistiva em filmes finos de Al2O3 e ZnO para aplicação em dispositivos de ¿memória resistiva de acesso aleatório¿ (RRAM) e interruptor eletrônico (IE)
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Data de Publicação: | 2018 |
Tipo de documento: | Tese |
Título da fonte: | Portal de Dados Abertos da CAPES |
Texto Completo: | https://sucupira.capes.gov.br/sucupira/public/consultas/coleta/trabalhoConclusao/viewTrabalhoConclusao.jsf?popup=true&id_trabalho=7406304 |
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