Estudo de comutação resistiva em filmes finos de Al2O3 e ZnO para aplicação em dispositivos de ¿memória resistiva de acesso aleatório¿ (RRAM) e interruptor eletrônico (IE)

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Aline do Nascimento Rodrigues
Data de Publicação: 2018
Tipo de documento: Tese
Título da fonte: Portal de Dados Abertos da CAPES
Texto Completo: https://sucupira.capes.gov.br/sucupira/public/consultas/coleta/trabalhoConclusao/viewTrabalhoConclusao.jsf?popup=true&id_trabalho=7406304
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