Deposição de filmes finos de SnO2 e GaAs, visando confecção de dispositivos baseados na heterojunção SnO2/GaAs

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: CRISTINA DE FREITAS BUENO
Data de Publicação: 2015
Tipo de documento: Dissertação
Título da fonte: Portal de Dados Abertos da CAPES
Texto Completo: https://sucupira.capes.gov.br/sucupira/public/consultas/coleta/trabalhoConclusao/viewTrabalhoConclusao.jsf?popup=true&id_trabalho=2314886
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Arseneto de gálio, dióxido de estanho, heterojunção, európio, fotoluminescência, caracterização elétrica.
Gallium arsenide, tin dioxide, heterojunction, europium, photoluminescence, electrical characterization.
CRISTINA DE FREITAS BUENO
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