Deposição de filmes finos de SnO2 e GaAs, visando confecção de dispositivos baseados na heterojunção SnO2/GaAs
Autor(a) principal: | |
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Data de Publicação: | 2015 |
Tipo de documento: | Dissertação |
Título da fonte: | Portal de Dados Abertos da CAPES |
Texto Completo: | https://sucupira.capes.gov.br/sucupira/public/consultas/coleta/trabalhoConclusao/viewTrabalhoConclusao.jsf?popup=true&id_trabalho=2314886 |
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Deposição de filmes finos de SnO2 e GaAs, visando confecção de dispositivos baseados na heterojunção SnO2/GaAs Arseneto de gálio, dióxido de estanho, heterojunção, európio, fotoluminescência, caracterização elétrica. Gallium arsenide, tin dioxide, heterojunction, europium, photoluminescence, electrical characterization. CRISTINA DE FREITAS BUENO |
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Arseneto de gálio, dióxido de estanho, heterojunção, európio, fotoluminescência, caracterização elétrica. Gallium arsenide, tin dioxide, heterojunction, europium, photoluminescence, electrical characterization. |
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