Modelagem Computacional da Interação entre Discordâncias Parciais a 90 Graus e a Superfície (111) do Silício

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: ARNALDO CESAR ALMEIDA OLIVEIRA
Data de Publicação: 2014
Tipo de documento: Dissertação
Título da fonte: Portal de Dados Abertos da CAPES
Texto Completo: https://sucupira.capes.gov.br/sucupira/public/consultas/coleta/trabalhoConclusao/viewTrabalhoConclusao.jsf?popup=true&id_trabalho=2298791
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Semicondutores. Método da Matriz Densidade Tight-Binding. Silício. Superfícies.
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