Crescimento de diamante CVD em substratos de silício de grande área

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Moro,João Roberto
Data de Publicação: 2010
Outros Autores: Trava-Airoldi,Vladimir Jesus, Corat,Evaldo José, Eichenberger Neto,João, Amorim,Amaurí, Alves,Arnaldo Ribeiro
Tipo de documento: Artigo
Idioma: por
Título da fonte: REM. Revista Escola de Minas (Online)
Texto Completo: http://old.scielo.br/scielo.php?script=sci_arttext&pid=S0370-44672010000200011
Resumo: Realizaram-se crescimentos de filmes de diamante por deposição química de vapor (CVD, do inglês Chemical Vapor Deposition) em substratos de silício (100), de grande área (80 cm²), em um reator de filamento quente (HFCVD), com taxas de crescimento superiores a 1,5 µm/h. Foi realizado o crescimento das amostras com diferentes fluxos gasosos e diferentes porcentagens de metano (CH4) em hidrogênio (H2). As amostras foram caracterizadas por microscopia óptica, eletrônica de varredura e por espectroscopia de espalhamento Raman. Tais análises acusaram a presença de diamante de alta pureza em todas as amostras.
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