Análise de descasamento nas características elétricas de SOI nMOSFET de canal gradual operando em saturação

• Autor(a) principal: Alves, C. R.
• Data de Publicação: 2017
• Tipo de documento: Dissertação
• Idioma: por
• Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da FEI
• Texto Completo: https://repositorio.fei.edu.br/handle/FEI/289
• topic: Transistor de efeito de campo de metal-óxido semicondutor

Os transistores da tecnologia Silício-sobre-Isolante (SOI Silicon-On-Insulator) apresentam vantagens em relação à tecnologia CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) convencional (BULK), tais como diminuição do efeito de canal curto, aumento da transcondutância, aumento da mobilidade, entre outras. Entretanto, apresentam reduzida tensão de ruptura de dreno, devido à ativação do transistor bipolar parasitário inerente à estrutura SOI. Com o intuito de diminuir esses efeitos indesejados foi projetada uma estrutura MOSFET chamada de SOI de Canal Gradual (GC SOI Graded-Channel). Resultados reportados na literatura mostram que GC SOI MOSFETs apresentam uma redução importante da condutância de saída, quando comparados aos SOI MOSFETs convencionais de mesma dimensão, além de aumento da transconduância e tensão de ruptura, qualificando estes transistores par aplicações analógicas de alto desempenho. Durante o processo de fabricação de transistores idênticos, devido às etapas do processo , pode ocorrer o descasamento nas suas características. A semelhança entre esses dispositivos é importante para o bom funcionamento de circuitos integrados elétricos que consideram dispositivos idênticos, tais como em um par diferencial e espelho de corrente. Este trabalho tem como obejtivo realizar o estudo do descasamento ( mismatching ) das características elétricas de SOI MOSFETs de canal gradual, comparando-os a transistores com canal uniformemente dopado. Serão analisados parâmetros elétricos básicos e analógicos, tais como a tensão de limiar, transcondutância, condutância de saída, tensão Early e ganho de tensão.