Estudo do comportamento da corrente de fuga do dreno do transistor SOI NMOSFET de canal delta operando em altas temperaturas

• Autor(a) principal: Correia, M. M.
• Data de Publicação: 2012
• Tipo de documento: Dissertação
• Idioma: por
• Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da FEI
• Texto Completo: https://repositorio.fei.edu.br/handle/FEI/435
• topic: Transistores; Transistor de efeito de campo de metal-óxido semicondutor

Este estudo apresenta a investigação do comportamento da corrente de fuga do dreno em transistores tipo SOI nMOSFET canal delta (canal triangular) em função das dimensões geométricas do canal, isto é, comprimento de canal (0,1?m ? L ? 1?m) e do ângulo interno (30º ? ? ? 90º) da estrutura formada pelo canal triangular, no comportamento da corrente de fuga do dreno (IDleak) destes dispositivos, quando operando, desde a temperatura ambiente (T) de 27ºC até 300ºC. Através de simulações numéricas tridimensionais (3D), realizadas com o simulador numérico bidimensional e tridimensional de dispositivos ATLAS, observou-se, para os dispositivos estudados, que IDleak é composta majoritariamente por elétrons, sendo que a intensidade de elétrons em IDleak é cerca de três ordens de grandeza maior em relação aos níveis de intensidade de lacunas. Este comportamento foi observado em todos os dispositivos analisados. Além disto, para menores valores de L observa-se maiores valores de IDleak, nas mesmas condições de temperatura e polarização. Porém, menores ângulos ?, resultam em menores níveis de IDleak, para dispositivos operando nas mesmas condições de polarização e temperatura. Através das análises pode-se concluir que ao comparar dois dispositivos com L distintos, considerando-se IDleak, nota-se que quanto menor o comprimento de canal mais crítico torna-se o fator do ângulo ? na intensidade da corrente de fuga do dreno no transistor. Os dados analisados para dispositivos com L=0,1?m mostram que, para dispositivos a temperatura ambiente, IDleak é cerca de 6 ordens de grandeza mais alto no dispositivo com ?=90º, em relação ao dispositivo com ?=30º. Já para os mesmos dispositivos operando a T=300ºC, IDleak é cerca de 1 ordem de grandeza maior no dispositivo com ?=90º