Fabricação e caracterização de lasers semicondutores de Pb1-x SnxTe utilizando a técnica de epitaxia a partir a da fase líquida - LPE

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Eduardo Abramof
Data de Publicação: 1986
Tipo de documento: Dissertação
Idioma: por
Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações do INPE
Texto Completo: http://urlib.net/sid.inpe.br/mtc-m21b/2017/11.28.18.25
Resumo: São descritas todas as etapas de fabricação dos lasers, desde o crescimento do monocristal ate a caracterização do dispositivo. A tecnica LPE e utilizada para a formação da junção p-n. São fabricados lasers de PbTe com as seguintes estruturas: p+-n e p+-n-nf. A caracterização do dispositivo a 80K inclui: curva ixV, curva I L xie espectro emitido. Os lasers apresentam densidades de corrente limiar na faixa de 2.5-10 KA/cm 2 e pico de emissão em 5.8 wm. Vários problemas no processo de fabricação e na montagem do laser le vam a degradação do dispositivo depois de um certo tempo de uso.
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