Caracterização ótica de epitaxia MBE de GaAs e exciton ligado ao aceitador de estanho em LPE-GaAs:Sn

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Mendonça, Cesar Augusto Curvello de
Data de Publicação: 1987
Tipo de documento: Dissertação
Idioma: por
Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
Texto Completo: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1577531
Resumo: Orientador: Eliermes Arraes Meneses
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spelling Caracterização ótica de epitaxia MBE de GaAs e exciton ligado ao aceitador de estanho em LPE-GaAs:SnEpitaxia por feixe molecularÓticaTeoria dos excitonsOrientador: Eliermes Arraes MenesesDissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb WataghinResumo: Foram feitas medidas de fotoluminescência em regime de baixo nível de excitação ótica e baixas temperaturas (< 2K). Os objetivos deste trabalho foram a caracterização e o estudo de algumas amostras de Arseneto de Gálio(GaAs), crescidas por Epitaxia por Feixe Molecular(MBE) não dopadas, e outras crescidas por Epitaxia de Fase Líquida(LPE) dopadas com Estanho(Sn). Nas primeiras, a baixa eficiência quântica de emissão das linhas excitônicas foram associadas à possível existência de grande concentração de defeitos gerados no processo de crescimento. Por outro lado, observamos alta Intensidade para linhas atribuídas a transições envolvendo impurezas aceitadoras, as quais apontaram para a presença de altas concentrações de Carbono no material. Nas últimas verificamos, através do espectro, a presença de impurezas aceitadoras de Zinco, Carbono e Estanho. Focalizamos principalmente o nível aceitador profundo introduzido no "gap" do GaAs, pelo Sn, através das transições ocorridas a partir do complexo exciton ligado à impureza (Snº, X) e banda impureza (e, Snº). Um cálculo para energia de ligação do complexo foi proposto, considerando-se uma renormalização dos valores da massa efetiva de buraco, m*b, e da constante dielétricaAbstract: Photoluminescence measurements have been performed under low excitation levels and low temperatures (< 2K). The main goals in this work has been the characterization and the study of some samples of undoped Gallium Arsenide (GaAs), grown in a Molecular Bean Epitaxy (MBE) system, and Liquid-Phase-Epitaxy(LPE) GaAs, which were intentionally doped with Tin(Sn). In the former the low emission quantum efficiency of the excitonic lines has been related to the possible existence of a high concentration of defects, generated in the growth process. On the other hand, the high intensity observed in those lines attributed to transitions involving acceptor impurities, pointed to the presence of high concentrations of Carbon in this material. In the latter, the presence of acceptor impurities as Zinc, Carbon and Tin has been verified. We foccused most of our attention at the deep acceptor level, in the gap, due to Sn in GaAs through the transitions from the excitonic complex (Snº, X) and band impurity (e, Snº). A calculation of the binding energy of this complex has been proposed, taking into account a renormalization of the hole effective mass, m*h, and dielectric constantMestradoFísicaMestre em Física[s.n.]Meneses, Eliermes Arraes, 1943-Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Instituto de Física Gleb WataghinPrograma de Pós-Graduação em FísicaUNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINASMendonça, Cesar Augusto Curvello de19871988-02-05T00:00:00Zinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisapplication/pdf66 f.https://hdl.handle.net/20.500.12733/1577531MENDONÇA, Cesar Augusto Curvello de. Caracterização ótica de epitaxia MBE de GaAs e exciton ligado ao aceitador de estanho em LPE-GaAs:Sn. 1987. 66 f Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1577531. Acesso em: 2 set. 2024.https://repositorio.unicamp.br/acervo/detalhe/47737porreponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instname:Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instacron:UNICAMPinfo:eu-repo/semantics/openAccess2017-12-06T11:14:18Zoai::47737Biblioteca Digital de Teses e DissertaçõesPUBhttp://repositorio.unicamp.br/oai/tese/oai.aspsbubd@unicamp.bropendoar:2017-12-06T11:14:18Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)false
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