Estudo de intera????es hiperfinas em materiais nanoestruturados de HfO2 dopados com Si, Fe, Y, La e HfSiO4 dopado com Fe pela t??cnica de correla????o angular gama-gama perturbada

• Autor(a) principal: SALES, TATIANE da S.N.
• Data de Publicação: 2018
• Tipo de documento: Tese
• Título da fonte: Repositório Institucional do IPEN
• Texto Completo: http://repositorio.ipen.br/handle/123456789/29786
• topic: thin films; hyperfine structure; interactions; nanostructures; hafnium alloys; hafnium oxides; hafnium silicates; zirconium silicates; chemical vapor deposition; graded band gaps; dielectric constant; perturbed angular correlation; gamma detection; gamma sources; x-ray diffraction; scanning electron microscopy; transmission electron microscopy

No presente trabalho ?? apresentado o estudo sistem??tico das intera????es hiperfinas, em compostos de ??xido de h??fnio (HfO2) dopados com sil??cio (Si), ferro (Fe), ??trio (Y) e lant??nio (La) em porcentagens de 5% e 10%. A t??cnica aplicada para esse estudo foi o de correla????o angular gama-gama perturbada (CAP) utilizando o n??cleo de prova 181Hf(181Ta). Al??m disso, o estudo tamb??m foi estendido para o h??fnio (Hf) na estrutura de ortosilicatos (HfSiO4) dopado com 20% Fe e na forma de filmes finos de HfO2. As amostras foram produzidas pelo m??todo sol gel e para os filmes finos foi utilizado a t??cnica de spin coating. A caracteriza????o estrutural destas amostras foi pela t??cnica de difra????o de raios-X e para morfologia foi utilizada as microscopias eletr??nicas de varredura e transmiss??o. O n??cleo de prova 181Hf(181Ta) presente na rede cristalina de todos os compostos forneceu os resultados da frequ??ncias de quadrupolo el??trico para o sitio monocl??nico do ??xido de h??fnio (m- HfO2) bem caracterizado e um segundo s??tio relacionado as vac??ncias de oxig??nio e defeitos na rede cristalina do HfO2. Al??m disso, as medi????es CAP que foram realizadas para as amostras de HfO2 dopadas, apresentam a forma????o de um terceiro s??tio que est?? relacionado com o tamanho da part??cula e a dopagem. Para o composto de HfSiO4 os resultados CAP indicam a temperatura de difus??o do sil??cio (Si), por volta de 700 ??C e para o Fe- HfSiO4 mostra a influ??ncia do ferro na nuclea????o do composto que ?? superior em 30% em rela????o ao HfSiO4. Para as amostras de filmes finos os resultados CAP evidenciam os efeitos de superf??cie observado pelo surgimento de um terceiro s??tio, ao longo do tratamento t??rmico 200 - 900 ??C durante a medida. Este s??tio tamb??m foi observado em temperaturas ambiente.