Estudo de intera????es hiperfinas em materiais nanoestruturados de HfO2 dopados com Si, Fe, Y, La e HfSiO4 dopado com Fe pela t??cnica de correla????o angular gama-gama perturbada
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Data de Publicação: | 2018 |
Tipo de documento: | Tese |
Título da fonte: | Repositório Institucional do IPEN |
Texto Completo: | http://repositorio.ipen.br/handle/123456789/29786 |
Resumo: | No presente trabalho ?? apresentado o estudo sistem??tico das intera????es hiperfinas, em compostos de ??xido de h??fnio (HfO2) dopados com sil??cio (Si), ferro (Fe), ??trio (Y) e lant??nio (La) em porcentagens de 5% e 10%. A t??cnica aplicada para esse estudo foi o de correla????o angular gama-gama perturbada (CAP) utilizando o n??cleo de prova 181Hf(181Ta). Al??m disso, o estudo tamb??m foi estendido para o h??fnio (Hf) na estrutura de ortosilicatos (HfSiO4) dopado com 20% Fe e na forma de filmes finos de HfO2. As amostras foram produzidas pelo m??todo sol gel e para os filmes finos foi utilizado a t??cnica de spin coating. A caracteriza????o estrutural destas amostras foi pela t??cnica de difra????o de raios-X e para morfologia foi utilizada as microscopias eletr??nicas de varredura e transmiss??o. O n??cleo de prova 181Hf(181Ta) presente na rede cristalina de todos os compostos forneceu os resultados da frequ??ncias de quadrupolo el??trico para o sitio monocl??nico do ??xido de h??fnio (m- HfO2) bem caracterizado e um segundo s??tio relacionado as vac??ncias de oxig??nio e defeitos na rede cristalina do HfO2. Al??m disso, as medi????es CAP que foram realizadas para as amostras de HfO2 dopadas, apresentam a forma????o de um terceiro s??tio que est?? relacionado com o tamanho da part??cula e a dopagem. Para o composto de HfSiO4 os resultados CAP indicam a temperatura de difus??o do sil??cio (Si), por volta de 700 ??C e para o Fe- HfSiO4 mostra a influ??ncia do ferro na nuclea????o do composto que ?? superior em 30% em rela????o ao HfSiO4. Para as amostras de filmes finos os resultados CAP evidenciam os efeitos de superf??cie observado pelo surgimento de um terceiro s??tio, ao longo do tratamento t??rmico 200 - 900 ??C durante a medida. Este s??tio tamb??m foi observado em temperaturas ambiente. |
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Artur Wilson CarbonariSALES, TATIANE da S.N.20182019-03-18T17:30:14Z2019-03-18T17:30:14Zhttp://repositorio.ipen.br/handle/123456789/2978610.11606/T.85.2019.tde-18022019-144920No presente trabalho ?? apresentado o estudo sistem??tico das intera????es hiperfinas, em compostos de ??xido de h??fnio (HfO2) dopados com sil??cio (Si), ferro (Fe), ??trio (Y) e lant??nio (La) em porcentagens de 5% e 10%. A t??cnica aplicada para esse estudo foi o de correla????o angular gama-gama perturbada (CAP) utilizando o n??cleo de prova 181Hf(181Ta). Al??m disso, o estudo tamb??m foi estendido para o h??fnio (Hf) na estrutura de ortosilicatos (HfSiO4) dopado com 20% Fe e na forma de filmes finos de HfO2. As amostras foram produzidas pelo m??todo sol gel e para os filmes finos foi utilizado a t??cnica de spin coating. A caracteriza????o estrutural destas amostras foi pela t??cnica de difra????o de raios-X e para morfologia foi utilizada as microscopias eletr??nicas de varredura e transmiss??o. O n??cleo de prova 181Hf(181Ta) presente na rede cristalina de todos os compostos forneceu os resultados da frequ??ncias de quadrupolo el??trico para o sitio monocl??nico do ??xido de h??fnio (m- HfO2) bem caracterizado e um segundo s??tio relacionado as vac??ncias de oxig??nio e defeitos na rede cristalina do HfO2. Al??m disso, as medi????es CAP que foram realizadas para as amostras de HfO2 dopadas, apresentam a forma????o de um terceiro s??tio que est?? relacionado com o tamanho da part??cula e a dopagem. Para o composto de HfSiO4 os resultados CAP indicam a temperatura de difus??o do sil??cio (Si), por volta de 700 ??C e para o Fe- HfSiO4 mostra a influ??ncia do ferro na nuclea????o do composto que ?? superior em 30% em rela????o ao HfSiO4. Para as amostras de filmes finos os resultados CAP evidenciam os efeitos de superf??cie observado pelo surgimento de um terceiro s??tio, ao longo do tratamento t??rmico 200 - 900 ??C durante a medida. Este s??tio tamb??m foi observado em temperaturas ambiente.Submitted by Pedro Silva Filho (pfsilva@ipen.br) on 2019-03-18T17:30:14Z No. of bitstreams: 0Made available in DSpace on 2019-03-18T17:30:14Z (GMT). No. of bitstreams: 0Tese (Doutorado em Tecnologia Nuclear)IPEN/TInstituto de Pesquisas Energ??ticas e Nucleares - IPEN-CNEN/SP121thin filmshyperfine structureinteractionsnanostructureshafnium alloyshafnium oxideshafnium silicateszirconium silicateschemical vapor depositiongraded band gapsdielectric constantperturbed angular correlationgamma detectiongamma sourcesx-ray diffractionscanning electron microscopytransmission electron microscopyEstudo de intera????es hiperfinas em materiais nanoestruturados de HfO2 dopados com Si, Fe, Y, La e HfSiO4 dopado com Fe pela t??cnica de correla????o angular gama-gama perturbadaThe study of hyperfine interactions in nanostructured materials on the HfO2 basics doped Si, Fe, Y, La and HfSiO4 doped with Fe gamma-gamma perturbed angular correlation spectroscopyinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/doctoralThesisNS??o Pauloinfo:eu-repo/semantics/openAccessreponame:Repositório Institucional do IPENinstname:Instituto de Pesquisas Energéticas e Nucleares (IPEN)instacron:IPEN25572SALES, TATIANE da S.N.19-03http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/85/85131/tde-18022019-144920/pt-br.php9322SALES, TATIANE da S.N.:9322:310:SLICENSElicense.txtlicense.txttext/plain; charset=utf-81748http://repositorio.ipen.br/bitstream/123456789/29786/1/license.txt8a4605be74aa9ea9d79846c1fba20a33MD51123456789/297862020-10-05 20:47:58.613oai:repositorio.ipen.br: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Repositório InstitucionalPUBhttp://repositorio.ipen.br/oai/requestbibl@ipen.bropendoar:45102020-10-05T20:47:58Repositório Institucional do IPEN - Instituto de Pesquisas Energéticas e Nucleares (IPEN)false |
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