Estudo comparativo das respostas de diodos de Si para dosimetria de radiacao gama

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: PASCOALINO, KELLY C. da S.
Data de Publicação: 2010
Tipo de documento: Dissertação
Título da fonte: Repositório Institucional do IPEN
Texto Completo: http://repositorio.ipen.br/handle/123456789/9517
Resumo: Neste trabalho ?? apresentado um estudo comparativo da resposta de diodos de Si para dosimetria de radia????o gama. Os diodos investigados, crescidos pelas t??cnicas de fus??o zonal (Fz) e Czchocralski magn??tico (MCz), foram processados no Instituto de F??sica da Universidade de Helsinki no ??mbito das pesquisas e desenvolvimento de dispositivos de Si resistentes a danos de radia????o segundo a colabora????o RD50 do CERN (European Organization for Nuclear Research). Para estudar a resposta dosim??trica dos diodos, eles foram acoplados diretamente no modo fotovoltaico na entrada de um eletr??metro digital para medir o sinal de fotocorrente devido a incid??ncia de raios gama provenientes de uma fonte de 60Co (Gammacell 220). O par??metro dosim??trico usado para estudar a resposta destes dispositivos foi a carga, obtida pela integra????o do sinal de corrente pelo tempo de exposi????o, em fun????o da dose absorvida. Estudos da influ??ncia dos procedimentos de pr??-irradia????o na sensibilidade e estabilidade destes diodos mostraram que a sensibilidade decresce com a dose total absorvida mas depois de uma pr??-irradia????o de cerca de 873 kGy, eles se tornaram mais est??veis. Efeitos dos danos de radia????o eventualmente produzidos nos diodos foram monitorados mediante medidas din??micas de corrente e de capacit??ncia depois de cada etapa de irradia????o. Ambas as amostras exibiram boa reprodutibilidade de resposta, 2,21% (Fz) e 2,94% (MCz), obtida com 13 medidas consecutivas de 15 kGy comparadas com a equivalente dose de 195 kGy absorvida em uma ??nica etapa de irradia????o. ?? importante notar que estes resultados s??o melhores do que aqueles obtidos com dos??metros de rotina de polimetilmetacrilato (PMMA) usados em processamento por radia????o.
id IPEN_42532ae345f96038018c8f435c23198c
oai_identifier_str oai:repositorio.ipen.br:123456789/9517
network_acronym_str IPEN
network_name_str Repositório Institucional do IPEN
repository_id_str 4510
spelling Carmen Cecilia Bueno TobiasPASCOALINO, KELLY C. da S.20102014-10-09T12:27:34Z2014-10-09T14:07:07Z2014-10-09T12:27:34Z2014-10-09T14:07:07Zhttp://repositorio.ipen.br/handle/123456789/951710.11606/D.85.2010.tde-12082011-102243Neste trabalho ?? apresentado um estudo comparativo da resposta de diodos de Si para dosimetria de radia????o gama. Os diodos investigados, crescidos pelas t??cnicas de fus??o zonal (Fz) e Czchocralski magn??tico (MCz), foram processados no Instituto de F??sica da Universidade de Helsinki no ??mbito das pesquisas e desenvolvimento de dispositivos de Si resistentes a danos de radia????o segundo a colabora????o RD50 do CERN (European Organization for Nuclear Research). Para estudar a resposta dosim??trica dos diodos, eles foram acoplados diretamente no modo fotovoltaico na entrada de um eletr??metro digital para medir o sinal de fotocorrente devido a incid??ncia de raios gama provenientes de uma fonte de 60Co (Gammacell 220). O par??metro dosim??trico usado para estudar a resposta destes dispositivos foi a carga, obtida pela integra????o do sinal de corrente pelo tempo de exposi????o, em fun????o da dose absorvida. Estudos da influ??ncia dos procedimentos de pr??-irradia????o na sensibilidade e estabilidade destes diodos mostraram que a sensibilidade decresce com a dose total absorvida mas depois de uma pr??-irradia????o de cerca de 873 kGy, eles se tornaram mais est??veis. Efeitos dos danos de radia????o eventualmente produzidos nos diodos foram monitorados mediante medidas din??micas de corrente e de capacit??ncia depois de cada etapa de irradia????o. Ambas as amostras exibiram boa reprodutibilidade de resposta, 2,21% (Fz) e 2,94% (MCz), obtida com 13 medidas consecutivas de 15 kGy comparadas com a equivalente dose de 195 kGy absorvida em uma ??nica etapa de irradia????o. ?? importante notar que estes resultados s??o melhores do que aqueles obtidos com dos??metros de rotina de polimetilmetacrilato (PMMA) usados em processamento por radia????o.Made available in DSpace on 2014-10-09T12:27:34Z (GMT). No. of bitstreams: 0Made available in DSpace on 2014-10-09T14:07:07Z (GMT). No. of bitstreams: 0Dissertacao (Mestrado)IPEN/DInstituto de Pesquisas Energeticas e Nucleares - IPEN-CNEN/SP73dosimetrygamma radiationsilicon diodessemiconductor materialsradiation hazardscomparative evaluationsEstudo comparativo das respostas de diodos de Si para dosimetria de radiacao gamaComparative study of Si diodes response for gamma radiation dosimetryinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisNSao Pauloinfo:eu-repo/semantics/openAccessreponame:Repositório Institucional do IPENinstname:Instituto de Pesquisas Energéticas e Nucleares (IPEN)instacron:IPEN15349T539.12.08 / P281ePASCOALINO, KELLY C. da S.10-07http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/85/85131/tde-12082011-102243/pt-br.php6608PASCOALINO, KELLY C. da S.:6608:240:S123456789/95172020-06-17 00:22:22.072oai:repositorio.ipen.br:123456789/9517Repositório InstitucionalPUBhttp://repositorio.ipen.br/oai/requestbibl@ipen.bropendoar:45102020-06-17T00:22:22Repositório Institucional do IPEN - Instituto de Pesquisas Energéticas e Nucleares (IPEN)false
dc.title.pt_BR.fl_str_mv Estudo comparativo das respostas de diodos de Si para dosimetria de radiacao gama
dc.title.alternative.pt_BR.fl_str_mv Comparative study of Si diodes response for gamma radiation dosimetry
title Estudo comparativo das respostas de diodos de Si para dosimetria de radiacao gama
spellingShingle Estudo comparativo das respostas de diodos de Si para dosimetria de radiacao gama
PASCOALINO, KELLY C. da S.
dosimetry
gamma radiation
silicon diodes
semiconductor materials
radiation hazards
comparative evaluations
title_short Estudo comparativo das respostas de diodos de Si para dosimetria de radiacao gama
title_full Estudo comparativo das respostas de diodos de Si para dosimetria de radiacao gama
title_fullStr Estudo comparativo das respostas de diodos de Si para dosimetria de radiacao gama
title_full_unstemmed Estudo comparativo das respostas de diodos de Si para dosimetria de radiacao gama
title_sort Estudo comparativo das respostas de diodos de Si para dosimetria de radiacao gama
author PASCOALINO, KELLY C. da S.
author_facet PASCOALINO, KELLY C. da S.
author_role author
dc.contributor.advisor1.fl_str_mv Carmen Cecilia Bueno Tobias
dc.contributor.author.fl_str_mv PASCOALINO, KELLY C. da S.
contributor_str_mv Carmen Cecilia Bueno Tobias
dc.subject.por.fl_str_mv dosimetry
gamma radiation
silicon diodes
semiconductor materials
radiation hazards
comparative evaluations
topic dosimetry
gamma radiation
silicon diodes
semiconductor materials
radiation hazards
comparative evaluations
description Neste trabalho ?? apresentado um estudo comparativo da resposta de diodos de Si para dosimetria de radia????o gama. Os diodos investigados, crescidos pelas t??cnicas de fus??o zonal (Fz) e Czchocralski magn??tico (MCz), foram processados no Instituto de F??sica da Universidade de Helsinki no ??mbito das pesquisas e desenvolvimento de dispositivos de Si resistentes a danos de radia????o segundo a colabora????o RD50 do CERN (European Organization for Nuclear Research). Para estudar a resposta dosim??trica dos diodos, eles foram acoplados diretamente no modo fotovoltaico na entrada de um eletr??metro digital para medir o sinal de fotocorrente devido a incid??ncia de raios gama provenientes de uma fonte de 60Co (Gammacell 220). O par??metro dosim??trico usado para estudar a resposta destes dispositivos foi a carga, obtida pela integra????o do sinal de corrente pelo tempo de exposi????o, em fun????o da dose absorvida. Estudos da influ??ncia dos procedimentos de pr??-irradia????o na sensibilidade e estabilidade destes diodos mostraram que a sensibilidade decresce com a dose total absorvida mas depois de uma pr??-irradia????o de cerca de 873 kGy, eles se tornaram mais est??veis. Efeitos dos danos de radia????o eventualmente produzidos nos diodos foram monitorados mediante medidas din??micas de corrente e de capacit??ncia depois de cada etapa de irradia????o. Ambas as amostras exibiram boa reprodutibilidade de resposta, 2,21% (Fz) e 2,94% (MCz), obtida com 13 medidas consecutivas de 15 kGy comparadas com a equivalente dose de 195 kGy absorvida em uma ??nica etapa de irradia????o. ?? importante notar que estes resultados s??o melhores do que aqueles obtidos com dos??metros de rotina de polimetilmetacrilato (PMMA) usados em processamento por radia????o.
publishDate 2010
dc.date.pt_BR.fl_str_mv 2010
dc.date.accessioned.fl_str_mv 2014-10-09T12:27:34Z
2014-10-09T14:07:07Z
dc.date.available.fl_str_mv 2014-10-09T12:27:34Z
2014-10-09T14:07:07Z
dc.type.status.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/masterThesis
format masterThesis
status_str publishedVersion
dc.identifier.uri.fl_str_mv http://repositorio.ipen.br/handle/123456789/9517
dc.identifier.doi.none.fl_str_mv 10.11606/D.85.2010.tde-12082011-102243
url http://repositorio.ipen.br/handle/123456789/9517
identifier_str_mv 10.11606/D.85.2010.tde-12082011-102243
dc.rights.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
eu_rights_str_mv openAccess
dc.format.none.fl_str_mv 73
dc.coverage.pt_BR.fl_str_mv N
dc.source.none.fl_str_mv reponame:Repositório Institucional do IPEN
instname:Instituto de Pesquisas Energéticas e Nucleares (IPEN)
instacron:IPEN
instname_str Instituto de Pesquisas Energéticas e Nucleares (IPEN)
instacron_str IPEN
institution IPEN
reponame_str Repositório Institucional do IPEN
collection Repositório Institucional do IPEN
repository.name.fl_str_mv Repositório Institucional do IPEN - Instituto de Pesquisas Energéticas e Nucleares (IPEN)
repository.mail.fl_str_mv bibl@ipen.br
_version_ 1767254197698297856