Estudo comparativo das respostas de diodos de Si para dosimetria de radiacao gama
Autor(a) principal: | |
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Data de Publicação: | 2010 |
Tipo de documento: | Dissertação |
Título da fonte: | Repositório Institucional do IPEN |
Texto Completo: | http://repositorio.ipen.br/handle/123456789/9517 |
Resumo: | Neste trabalho ?? apresentado um estudo comparativo da resposta de diodos de Si para dosimetria de radia????o gama. Os diodos investigados, crescidos pelas t??cnicas de fus??o zonal (Fz) e Czchocralski magn??tico (MCz), foram processados no Instituto de F??sica da Universidade de Helsinki no ??mbito das pesquisas e desenvolvimento de dispositivos de Si resistentes a danos de radia????o segundo a colabora????o RD50 do CERN (European Organization for Nuclear Research). Para estudar a resposta dosim??trica dos diodos, eles foram acoplados diretamente no modo fotovoltaico na entrada de um eletr??metro digital para medir o sinal de fotocorrente devido a incid??ncia de raios gama provenientes de uma fonte de 60Co (Gammacell 220). O par??metro dosim??trico usado para estudar a resposta destes dispositivos foi a carga, obtida pela integra????o do sinal de corrente pelo tempo de exposi????o, em fun????o da dose absorvida. Estudos da influ??ncia dos procedimentos de pr??-irradia????o na sensibilidade e estabilidade destes diodos mostraram que a sensibilidade decresce com a dose total absorvida mas depois de uma pr??-irradia????o de cerca de 873 kGy, eles se tornaram mais est??veis. Efeitos dos danos de radia????o eventualmente produzidos nos diodos foram monitorados mediante medidas din??micas de corrente e de capacit??ncia depois de cada etapa de irradia????o. Ambas as amostras exibiram boa reprodutibilidade de resposta, 2,21% (Fz) e 2,94% (MCz), obtida com 13 medidas consecutivas de 15 kGy comparadas com a equivalente dose de 195 kGy absorvida em uma ??nica etapa de irradia????o. ?? importante notar que estes resultados s??o melhores do que aqueles obtidos com dos??metros de rotina de polimetilmetacrilato (PMMA) usados em processamento por radia????o. |
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Neste trabalho ?? apresentado um estudo comparativo da resposta de diodos de Si para dosimetria de radia????o gama. Os diodos investigados, crescidos pelas t??cnicas de fus??o zonal (Fz) e Czchocralski magn??tico (MCz), foram processados no Instituto de F??sica da Universidade de Helsinki no ??mbito das pesquisas e desenvolvimento de dispositivos de Si resistentes a danos de radia????o segundo a colabora????o RD50 do CERN (European Organization for Nuclear Research). Para estudar a resposta dosim??trica dos diodos, eles foram acoplados diretamente no modo fotovoltaico na entrada de um eletr??metro digital para medir o sinal de fotocorrente devido a incid??ncia de raios gama provenientes de uma fonte de 60Co (Gammacell 220). O par??metro dosim??trico usado para estudar a resposta destes dispositivos foi a carga, obtida pela integra????o do sinal de corrente pelo tempo de exposi????o, em fun????o da dose absorvida. Estudos da influ??ncia dos procedimentos de pr??-irradia????o na sensibilidade e estabilidade destes diodos mostraram que a sensibilidade decresce com a dose total absorvida mas depois de uma pr??-irradia????o de cerca de 873 kGy, eles se tornaram mais est??veis. Efeitos dos danos de radia????o eventualmente produzidos nos diodos foram monitorados mediante medidas din??micas de corrente e de capacit??ncia depois de cada etapa de irradia????o. Ambas as amostras exibiram boa reprodutibilidade de resposta, 2,21% (Fz) e 2,94% (MCz), obtida com 13 medidas consecutivas de 15 kGy comparadas com a equivalente dose de 195 kGy absorvida em uma ??nica etapa de irradia????o. ?? importante notar que estes resultados s??o melhores do que aqueles obtidos com dos??metros de rotina de polimetilmetacrilato (PMMA) usados em processamento por radia????o. |
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